[发明专利]阵列基板母板有效
申请号: | 201910289390.1 | 申请日: | 2019-04-11 |
公开(公告)号: | CN110112139B | 公开(公告)日: | 2021-03-16 |
发明(设计)人: | 李文英 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02F1/1362 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 母板 | ||
本发明披露了一种阵列基板母板。本发明所述阵列基板母板通过对其信号引入区进行优化设计,以保证的信号引入区的开关晶体管功能正常,并且保证光固化制程正常。
技术领域
本发明涉及液晶显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板母板。
背景技术
液晶显示器以其高显示品质、价格低廉、携带方便等优点而成为移动通讯设备、电脑、电视等的显示终端。由于阵列栅极驱动(Gate driver On Array,简称GOA)技术能够简化显示面板的制作工序,省去水平扫描线方向的绑定工艺,提升产能、降低产品成本,同时提升显示面板的集成度,使之更适合制作窄边框或无边框显示产品,以满足现代人们的视觉追求,因此,各液晶显示厂商已逐渐采用GOA技术作为液晶显示器的面板驱动技术。
在显示面板制造过程中,阵列基板和彩膜基板合成后,需要对液晶进行配向以形成预倾角。此工序需要加电同时进行UV光照才能完成。于是,在显示面板设计时会考虑加电所需的加电信号接触点(即pad,或称电极),以使外部电源提供显示面板所需的信号。随着GOA技术的引入,单个显示面板所需的GOA信号至少在十几个至二十几个,因此,一个大型玻璃基板需要更多的加电信号接触点。
例如在一个G8.5面板的生产线中,大型玻璃基板的尺寸一般为2200*2500mm,大致可切割出18块32英寸(inch)的显示面板。每个显示面板在成盒测试(即检测面板是否正常)中,需要驱动两组成盒测试信号接触点(共16*2个),因此,该大型玻璃基板需要的成盒测试信号接触点为18*16*2个。另外,在成盒后液晶形成预倾角过程中,会进行光固化制程,于是需要在每组的信号接触点中增加1个开关晶体管所需的信号接触点,因此,整个大型玻璃基板需要18个开关晶体管。在阵列测试和成盒测试中,需要添加如此多的信号接触点的原因在于,阵列测试和成盒测试所提供给显示面板的信号均为具有时序的交流/直流信号,因此,所提供的信号种类多,数量也多,例如高频时钟信号CK1~CK6、低频信号LC1、LC2为不同信号。而在光固化制程时,所提供的信号均为直流信号,上述的高频时钟信号CK1~CK6可以为相同的直流信号。于是,在进行光固化制程时,可以将提供给显示面板的不同高频时钟信号CK1~CK6合并为相同的信号,即仅需单个信号接触点,进而整个测试信号接触点可以大幅度地减小。
对于单个显示面板而言,可以通过一个开关晶体管将所有使用相同信号的信号线合并为一条信号线。这种设计方案中的开关晶体管为超大型晶体管。因此,例如32inch显示面板,开关晶体管的沟道宽度W=50000um,若显示面板尺寸更大,则开关晶体管的沟道宽度会更大,这是由于从信号测试点所输入的一个相同信号,若不计算信号线等阻抗,该信号要能够驱动相当于3个显示面板的负载,因此,为了能够足够的驱动力,在实际使用中,会采用超大型开关晶体管来加以实施。
然而,当使用超大型开关晶体管时,由于其产生的自热效应比较严重,甚至在给电过程中可能会被直接烧毁而无法使用。而且,超大型开关晶体管在其制备过程中,尤其是做作沟道过程中,刻蚀速度和面内的刻蚀速度不同,也容易造成制成的开关晶体管的特定不稳定,进而产生开关特性异常的问题。
因此,如何通过对现有用于GOA显示面板的外围电路的改进,以降低超大型开关晶体管所造成的较严重自热效应、光固化功能失效等风险,是液晶显示技术发展过程中亟待解决的问题。
发明内容
本发明的目的在于,提供一种阵列基板母板,通过对所述阵列基板母板中的信号引入区进行优化设计,以保证的信号引入区的开关晶体管功能正常,并且保证光固化制程正常。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的