[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在衬底上形成硬掩模层；

使用第一光刻工艺在所述硬掩模层上形成第一模制图案；

在所述第一模制图案上和所述硬掩模层的由所述第一模制图案暴露的部分上共形地形成间隔物层；

使用第二光刻工艺形成第一模制层，所述第一模制层具有暴露所述间隔物层的一部分的第一开口；

通过在所述间隔物层的由所述第一开口暴露的所述部分上执行各向异性蚀刻工艺来形成间隔物图案，直到暴露所述硬掩模层的顶表面的一部分；以及

使用所述间隔物图案作为蚀刻掩模来图案化所述硬掩模层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述间隔物层包括：

第一区段，覆盖所述第一模制图案的侧壁；以及

第二区段，从所述第一区段水平地延伸，

其中，所述各向异性蚀刻工艺去除所述第二区段的由所述第一开口暴露的部分。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一开口与所述第一区段的至少一部分竖直地重叠，

其中，当去除所述第二区段的所述部分时，所述第一区段的至少一部分用作蚀刻掩模。

4.根据权利要求2所述的方法，

其中，所述间隔物图案包括第二开口，所述第二开口是通过去除所述第二区段的所述部分形成的，

其中，所述第一区段用于以自对准方式形成所述第二开口，并且

其中，所述第二开口暴露所述硬掩模层的顶表面的所述部分。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括：在形成所述间隔物层之前，执行去除所述第一模制图案的一部分的第三光刻工艺，

其中，所述间隔物层填充所述第一模制图案的所述部分被去除的区域。

6.根据权利要求5所述的方法，

其中，所述去除所述第一模制图案的一部分将所述第一模制图案分成一对第一模制图案，并且

其中，从平面图的角度看，所述一对第一模制图案包括彼此面对的圆形侧壁。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括：

形成覆盖所述间隔物图案的第二模制层；

执行平坦化工艺，直到所述第一模制图案的顶表面被暴露；以及

同时去除所述第一模制图案和所述第二模制层。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括：

使用图案化的硬掩模层作为蚀刻掩模，来图案化所述衬底与所述硬掩模层之间的层间介电层；以及

在图案化的层间介电层上依次形成阻挡层和导电层，以在所述层间介电层中形成导电图案。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一模制图案包括：

在所述硬掩模层上形成第二模制层；

执行所述第一光刻工艺，以在所述第二模制层上形成第一光刻胶图案；以及

使用所述第一光刻胶图案作为蚀刻掩模来图案化所述第二模制层。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一模制层包括：

在所述间隔物层上形成所述第一模制层；

执行所述第二光刻工艺，以在所述第一模制层上形成第二光刻胶图案；以及

通过使用所述第二光刻胶图案作为蚀刻掩模来图案化所述第一模制层，形成所述第一开口。