[发明专利]导电薄膜抗弯折性能测量方法及测量装置

说明书

本发明提供了一种导电薄膜抗弯折性能测量方法及测量装置，该方法包括：将两端固定的待测导电薄膜放入一磁场内，向所述待测导电薄膜通电，使所述待测导电薄膜受到安培力，并对所述待测导电薄膜两端的电压进行测量；改变所述待测导电薄膜受到的安培力，直至所述待测导电薄膜两端的电压发生突变；采集所述待测导电薄膜两端电压发生突变时刻的磁感应强度及电流值，并根据采集到的所述磁感应强度及所述电流值得出所述待测导电薄膜的抗弯折性能。通过该测量方法，能够较为准确地对导电薄膜的抗弯折性能进行测量。

技术领域

本发明涉及导电薄膜品质检测领域，尤其是一种导电薄膜抗弯折性能测量方法及测量装置。

背景技术

导电薄膜，如ITO(Indium tin oxide，氧化铟锡金属氧化物)薄膜广泛应用于各种光电子器件，并成为目前研究的热点。随着超薄化、柔性化等电子器件的发展，其对导电薄膜的抗弯折性能提出了更广泛的要求。在导电薄膜的应用中，需要对其抗弯折性能进行测量。在现有技术中，并没有专门的导电薄膜抗弯折性能的测量方法，只能借鉴现有的脆性材料抗弯折性能的测量方法来对导电薄膜抗弯折性能进行测量。

现有的脆性材料抗弯折性能的测量方法通常分为三点弯曲测量法及四点弯曲测量法。图1所示为现有技术中脆性材料抗弯折性能的三点弯曲测量法的结构示意图，图2所示为现有技术中脆性材料抗弯折性能的四点弯曲测量法的结构示意图。如图1及图2所示，通过支撑夹具和加载压头来对脆性材料构件弯曲应力状态，如图1所示，通过两个夹具，以及中间的一个压头，使待测材料中间位置弯曲应力最大，在测量时，三点弯曲测量得到的强度计算公式如下所示：

其中：σ_f-弯曲强度，单位MPa；

F-加载力，单位N；

L-夹具下跨距(即两个夹具上支撑点之间的距离)，单位mm；

b-试样的宽度，单位mm；

d-试样高度，单位mm。

如图2所示，通过两个夹具及两个压头，使待测材料中间位置有均匀的弯曲应力。在测量时，四点弯曲测量得到的强度计算公式如下所示：

其中：σ_f-弯曲强度，单位MPa；

a-试样所受弯曲力臂的长度，单位mm；

F-加载力，单位N；

L-夹具下跨距，单位mm；

b-试样的宽度，单位mm；

d-试样高度，单位mm。

对于四点1/4(即压头距最近的支撑点的长度为两个支撑点之间总长度的四分之一)弯曲测量方式而言，力臂a＝L/4；对于四点1/3弯曲测量方式而言，力臂为a＝L/3。

在测量时，需要通过压头对待测材料加载压力，并不断增大该压力，直至观察到待测材料上产生裂纹，通过收集待测材料产生裂纹时加载的压力，通过上述的公式得出最终的弯曲强度。

然而，在上述的测量方法下，由于压头与待测材料的接触面积较小，这导致加载位置容易出现应力集中，即该处压力远远大于其它区域的应力，使测量时得到的弯曲强度并非真正意义上的弯曲强度；其次，在观察待测材料是否产生裂纹时，具有较大的主观性，针对导电薄膜，虽然裂纹扩展的速度很快，但是，在裂纹萌生时，导电薄膜的性能其实已经发生了较大的变化，甚至自身功能已经丧失。用传统的宏观裂纹作为失效判据，并不能具有很好的实际意义。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种导电薄膜抗弯折性能测量方法及测量装置，通过该测量方法，能够较为准确地对导电薄膜的抗弯折性能进行测量。