[发明专利]布线膜和布线膜的形成方法

说明书

本发明涉及布线膜和布线膜的形成方法。本发明提供一种设置在基板上的多层结构的布线膜，其特征在于，所述布线膜包含：初始层，所述初始层成膜于所述基板上，膜厚为3nm～200nm，并包含由金属元素构成的金属或合金、或者金属或合金的化合物；和第二层及第二层之后的层，所述第二层及第二层之后的层成膜于所述初始层上，并包含由金属元素构成的金属或合金、或者金属或合金的化合物，并且所述布线膜在所述初始层与所述第二层之间具有界面。提供一种通过真空气氛下的溅射而形成包含金属元素的多层结构的布线膜的方法，所述方法包含：在所述基板上成膜膜厚为3nm～200nm的初始层、然后进行抽真空的工序；和在所述初始层上成膜第二层及第二层之后的层的工序。

技术领域

本发明涉及布线膜和布线膜的形成方法。

背景技术

近年来，随着用于显示器制造的基板的大型化，难以维持包含TFT(Thin FilmTransistor：薄膜晶体管)元件在内的显示器的Al布线膜的品质。作为金属布线的品质的指标，在Al布线的情况下，可以列举其结晶性、向Al(111)晶面的取向性(非专利文献1、2)。

在使用大型基板的情况下，均匀且迅速的基板的温度控制、抽真空变得困难，水分、氧气、氮气等残留气体分压变高，因此晶体的取向性变差。在残留气体分压高的情况下，在晶体的生长过程中产生堆垛层错，因此产生朝向不同方位的生长核，例如在Al的情况下，认为Al(111)取向变弱。作为提高取向性的方法，特别重要的是除去存在于基板表面的水分(非专利文献1、专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特许第3938437号公报

非专利文献

非专利文献1：伊藤隆司著，VLSI的薄膜技术，1986年

非专利文献2：S.Vaidya，A.K.Sinha著，固体薄膜(Thin Solid Fil ms)，第75卷，第3期，1981年1月16日，第253-259页

发明内容

发明所要解决的问题

作为除去基板表面的水分的方法而言，通常已知将基板的温度、真空槽内的压力设定为适当的条件的方法。例如，在使基板的温度升高时，促进脱气，基板表面附近的水分减少。另外，在使真空槽内的压力降低时，气氛中以及吸附于基板的水分等气体减少。由此，阻碍金属原子迁移的因素减少，结果，金属原子能够最稳定地排列，因此晶体的取向性提高。

然而，没有完全弄清这些因素与取向性的关系，需要通过实验来明确最佳条件，并且其选择是不容易的。另外，即使在明确了最佳条件的情况下，由于装置构成、生产节拍的限制，这些因素也需要设定在一定的范围内，在改善上存在限度。

鉴于如上所述的课题，本发明提供晶体的取向性优异的布线膜以及简易且有效地形成该布线膜的方法。

用于解决问题的手段

本发明人等发现，通过真空气氛下的溅射在基板上成膜膜厚为3nm～200nm的初始层，并且在该初始层上成膜第二层及第二层之后的层，由此能够得到晶体的取向性优异的、包含金属元素的多层结构的布线膜，并基于所述见解完成了本发明。

即，本发明如下所述。

1.一种布线膜，其为设置在基板上的多层结构的布线膜，其特征在于，

所述布线膜包含：

初始层，所述初始层成膜于所述基板上，膜厚为3nm～200nm，并且包含由金属元素构成的金属或合金、或者金属或合金的化合物；和

第二层及第二层之后的层，所述第二层及第二层之后的层成膜于所述初始层上，并且包含由金属元素构成的金属或合金、或者金属或合金的化合物，并且