[发明专利]晶片的加工方法

说明书

提供晶片的加工方法，能够对形成有多个闪存芯片的晶片进行适当地分割。晶片的加工方法至少包含如下的工序：切削槽形成工序，利用切削刀具(28)对分割预定线(14)进行切削而在第二存储层(10)形成切削槽(30)；改质层形成工序，将对于半导体基板(4)具有透过性的波长的激光光线(LB)的聚光点定位于与分割预定线(14)对应的半导体基板(4)的内部而对半导体基板(4)照射激光光线(LB)，从而形成改质层(42)；分割工序，对半导体基板(4)的背面进行磨削，使裂纹(60)从改质层(42)生长而将晶片(2)分割成各个闪存芯片(12)；以及DAF分割工序，在已分割成各个闪存芯片(12)的晶片(2)的背面(2b)上配设DAF(62)，对支承DAF(62)的支承带(66)进行扩展而按照每个闪存芯片(12)对DAF(62)进行分割。

技术领域

本发明涉及晶片的加工方法，将通过分割预定线划分出多个闪存芯片的晶片分割成各个闪存芯片，该闪存芯片是将第一存储层和第二存储层连结起来而构成的，该第一存储层是在半导体基板的正面上将金属膜和绝缘膜交替地层叠多层而形成的，该第二存储层是在该第一存储层的上表面上以绝缘层为结合层而将金属膜和绝缘膜交替地层叠多层而形成的。

背景技术

IC、LSI、闪存等器件是层叠在硅等半导体基板的正面上并且通过分割预定线进行划分而以晶片的方式生成的。然后，通过激光加工装置、切割装置等加工装置将晶片分割成各个器件，分割得到的各器件被用于移动电话、个人计算机等电子设备。

另外，还提出了如下的技术：将对于半导体基板具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于半导体基板的内部而对半导体基板照射激光光线，沿着分割预定线在半导体基板的内部形成改质层，然后对半导体基板的背面进行磨削而薄化，同时使裂纹从改质层起开始生长，从而将晶片分割成各个器件(例如，参照专利文献1)。

专利文献1：日本特开2014-7330号公报

上述技术具有如下的优点：通过在已分割成各个器件的晶片的背面上配设DAF(被称为粘片膜的粘接片)并进行扩展，能够将DAF分割成与器件相对应的大小。

但是，在将通过分割预定线划分出多个闪存芯片的晶片分割成各个闪存芯片的情况下使用上述技术时，存在如下的问题：从改质层生长的裂纹在结合层处发生弯折而到达第二存储层，从而损伤第二存储层，无法将晶片适当地分割成各个闪存芯片，其中，该闪存芯片是将第一存储层和第二存储层连结起来而构成的，该第一存储层是在半导体基板的正面上将金属膜和绝缘膜交替地层叠多层而形成的，该第二存储层是在该第一存储层的上表面上以绝缘层为结合层而将金属膜和绝缘膜交替地层叠多层而形成的。

发明内容

鉴于上述事实而完成的本发明的课题在于提供晶片的加工方法，能够对形成有多个闪存芯片的晶片进行适当地分割。

为了解决上述课题，本发明提供的是以下的晶片的加工方法。即，一种晶片的加工方法，将通过分割预定线划分出多个闪存芯片的晶片分割成各个闪存芯片，该闪存芯片是将第一存储层和第二存储层连结起来而构成的，该第一存储层是在半导体基板的正面上将金属膜和绝缘膜交替地层叠多层而形成的，该第二存储层是在该第一存储层的上表面上以绝缘层为结合层而将金属膜和绝缘膜交替地层叠多层而形成的，其中，该晶片的加工方法至少包含如下的工序：切削槽形成工序，利用切削刀具对分割预定线进行切削而在该第二存储层形成切削槽；改质层形成工序，将对于半导体基板具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于与分割预定线对应的半导体基板的内部而对半导体基板照射激光光线，从而形成改质层；分割工序，对半导体基板的背面进行磨削而使裂纹从改质层生长，从而将晶片分割成各个闪存芯片；以及DAF分割工序，在已分割成各个闪存芯片的晶片的背面上配设DAF，对支承DAF的支承带进行扩展而按照每个闪存芯片对DAF进行分割。

优选在该切削槽形成工序中，切削槽到达该结合层。