[发明专利]一种选通管器件的预处理方法

权利要求书

1.一种选通管器件的预处理方法，其特征在于，包括：

(1)通过选取电压扫描范围且设置第一限制电流I_cc1，对选通管进行第一次电压扫描，获取其亚阈值区域的阻态R₁；

(2)根据第n-1次电压扫描后的选通管亚阈值区域的阻态R_n-1，设置第n限制电流I_cc(n)，并对选通管进行第n次电压扫描，获取其亚阈值区域的阻态R_n，

其中，I_cc(n-1)＜I_cc(n)，n的初始值为2；

(3)在读电压下，若第n次电压扫描后选通管器件的亚阈值区域的阻态大于第一次电压扫描后的选通管器件的亚阈值区域的阻态，则停止对选通管器件的电压扫描；否则，n＝n+1，转至步骤(2)。

2.如权利要求1所述的预处理方法，其特征在于，所述读电压为第一次电压扫描后的选通管器件的0.5倍开电压。

3.如权利要求1或2所述的预处理方法，其特征在于，

所述第一限制电流I_cc1为：500nA＜I_cc1＜1000uA；

所述第n限制电流I_cc(n)为：I_cc(n-1)＜I_cc(n)＜1100uA。

4.如权利要求3所述的预处理方法，其特征在于，

所述电压扫描范围为0～4V_th；

所述电压扫描的方式为：电压从0开始递增到最大电压，再从最大电压回扫到0；

其中，V_th为选通管的开电压。

5.如权利要求4所述的预处理方法，其特征在于，所述选通管包括第一电极层、硫系选通材料层和第二电极层；所述硫系选通材料层介于第一电极层和第二电极层之间。

6.如权利要求5所述的预处理方法，其特征在于，所述硫系选通材料层的材料为SiTe_x、CTe_x、BTe_x、GeTe_x、AlTe_x、GeSb_xTe_y、GeSb_x、BiTe_x、AsTe_x、SnTe_x、BiTe_x中至少一种，或者SiTe_x、CTe_x、BTe_x、GeTe_x、AlTe_x、GeSb_xTe_y、GeSb_x、BiTe_x、AsTe_x、SnTe_x、BiTe_x中至少一种化合物掺杂N、Sb、Bi、C中的至少一种元素形成的混合物，或者SiTe_x、CTe_x、BTe_x、GeTe_x、AlTe_x、GeSb_xTe_y、GeSb_x、BiTe_x、AsTe_x、SnTe_x、BiTe_x中至少一种化合物掺杂Si元素形成的混合物。

7.如权利要求5所述的预处理方法，其特征在于，所述第一电极层和第二电极层均为惰性电极材料，且所述惰性电极材料为W、TiW、Pt、Au、Ru、Al、TiN、Ta、TaN、IrO₂、ITO和IZO的至少一种。