[发明专利]一种迟滞型比较器电路在审
申请号: | 201910294094.0 | 申请日: | 2019-04-12 |
公开(公告)号: | CN110011647A | 公开(公告)日: | 2019-07-12 |
发明(设计)人: | 侯江;程代州;张茂林;雷郎成;刘伦才 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第二十四研究所 |
主分类号: | H03K5/24 | 分类号: | H03K5/24 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 尹丽云 |
地址: | 400060 *** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 运算放大器模块 迟滞 迟滞型比较器 反馈模块 电路 电压变化 反馈状态 偏置模块 阈值电压 迟滞比较器 运算放大器 传统结构 大小可调 电路设计 偏置电压 输出 可调性 正反馈 裕度 | ||
1.一种迟滞型比较器电路,其特征在于,包括:偏置模块、运算放大器模块和反馈模块,所述偏置模块为所述运算放大器模块提供偏置电压,所述反馈模块根据运算放大器模块输出端的电压变化进行反馈状态的切换,产生迟滞的阈值电压。
2.根据权利要求1所述的迟滞型比较器电路,其特征在于,所述反馈模块包括开关单元和用于对迟滞宽度进行调整的阈值调整单元,通过运算放大器模块输出端的输出电平控制开关单元的工作状态,在所述运算放大器模块内部形成正反馈通路,产生所述迟滞的阈值电压。
3.根据权利要求1所述的迟滞型比较器电路,其特征在于,所述偏置模块包括偏置输入端、第一偏置输出端和第二偏置输出端,
所述运算放大器模块包括第一放大输入端、第二放大输入端、第一差分信号输入端、第二差分信号输入端、第一放大输出端和第二放大输出端,
所述反馈模块包括第一反馈输入端、第二反馈输入端和反馈输出端;
所述第一偏置输出端与所述第一放大输入端连接,所述第二偏置输出端与运算放大器模块的第二输入端连接,所述第一放大输出端与反馈输出端连接,所述第二放大输出端与第一反馈输入端连接,所述第一差分信号输入端与第二反馈输入端连接。
4.根据权利要求1所述的迟滞型比较器电路,其特征在于,所述偏置模块包括第一NMOS管、第五NMOS管、第三PMOS管和第五PMOS管;
第五NMOS管的的栅极与第五PMOS管的的漏极短接后与第五PMOS管的漏极连接,并作为所述第一偏置输出端;第五NMOS管的源极接地,第五PMOS管的源极与电源端连接;第五PMOS管的栅极和第三PMOS管的栅极连接;第三PMOS管的源极与电源端连接,第一NMOS管的源极接地;第一NMOS管的栅极和漏极短接后与第三PMOS管的漏极连接,并作为所述第二偏置输出端。
5.根据权利要求3所述的迟滞型比较器电路,其特征在于,所述运算放大器模块包括电流源单元、差分输入单元、负载单元和反相器;
所述电流源单元用于提供电流,所述第一差分信号输入端和第二差分信号输入端形成差分输入单元,用于提供差分信号,所述负载单元与反相器连接,所述反馈模块根据反相器的输出端的输出电平控制开关单元的开启和关闭。
6.根据权利要求3所述的迟滞型比较器电路,其特征在于,所述运算放大器模块包括第一PMOS管、第二PMOS管、第四PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管和反相器;所述第四PMOS管作为电流源单元,
第一PMOS管的源极和第二PMOS管的源极分别与第四PMOS管的漏极连接,第一PMOS管的栅极为第一差分信号输入端,第二PMOS管的栅极为第二差分信号输入端,
第四PMOS管的源极与电源端连接,第四PMOS管的栅极与所述偏置输入端连接,
第二PMOS管的源极和第三NMOS管的源极分别接地,第二PMOS管的漏极和第一PMOS管的漏极分别与第六NMOS管的漏极连接,第三NMOS管的漏极和第二PMOS管的漏极分别与第七NMOS管的源极连接,
第六PMOS管的栅极和第七PMOS管的栅极连接,第六PMOS管的栅极和第六PMOS管的漏极短接,第六PMOS管的漏极和第六NMOS管的漏极连接,
第七PMOS管的漏极、第七NMOS管的漏极分别与反相器的输入端连接,第六NMOS管的栅极和第七NMOS管的栅极连接,第六PMOS管的源极和第七PMOS管的源极分别与电源端连接,反相器的输出端为第二放大输出端。
7.根据权利要求3所述的迟滞型比较器电路,其特征在于,所述开关单元包括第四NMOS管,所述阈值电压调整单元包括第八PMOS管;
第四NMOS管的栅极与第二放大输出端连接,第四NMOS管的源极和第一放大输出端连接,第四NMOS管的漏极与第八PMOS管的漏极连接,第八PMOS管的栅极与所述第一差分信号输入端连接,第八PMOS管的源极分别与第一PMOS管的源极、第二PMOS管的源极和第四PMOS管的漏极连接,第八PMOS管和第一PMOS管相对于第二PMOS管形成电压差,产生迟滞。
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