[发明专利]调变激光二极管改良结构在审
| 申请号： | 201910294614.8 | 申请日： | 2019-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN111817132A | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 颜胜宏;内田俊一;林楷滨 | 申请（专利权）人： | 晶连股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/12 | 分类号： | H01S5/12;H01S5/32;H01S5/06 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 孙皓晨;侯奇慧 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 激光二极管 改良 结构 | ||
1.一种调变激光二极管改良结构，其特征在于，包括：
一半导体基板；以及
一分布式回馈激光，形成于该半导体基板之上，其中该分布式回馈激光分为一前端部以及一后端部，其中该分布式回馈激光包括：
一下半导体层，形成于该半导体基板之上；
一主动层，形成于该下半导体层之上；
一上半导体层，形成于该主动层之上；
一前端绕射光栅，形成于该分布式回馈激光的该前端部的该下半导体层中或该上半导体层中，其中该前端绕射光栅具有一前端绕射光栅长度，其中该前端绕射光栅具有一前端绕射光栅周期以及一前端绕射光栅责务周期；以及
一第一后端绕射光栅，形成于该分布式回馈激光的该后端部的该下半导体层中或该上半导体层中，其中该第一后端绕射光栅具有一第一后端绕射光栅长度，其中该第一后端绕射光栅具有一第一后端绕射光栅周期以及一第一后端绕射光栅责务周期；
其中该前端绕射光栅长度大于或等于该第一后端绕射光栅长度，其中该前端绕射光栅周期等于该第一后端绕射光栅周期，其中该前端绕射光栅责务周期大于或等于40％且小于或等于60％，其中该第一后端绕射光栅责务周期大于0％且小于40％或大于60％且小于100％。
2.如权利要求1所述的调变激光二极管改良结构，其特征在于，该前端绕射光栅与该主动层之间的一距离等于该第一后端绕射光栅与该主动层之间的一距离。
3.如权利要求2所述的调变激光二极管改良结构，其特征在于，(1)该前端绕射光栅形成于该分布式回馈激光的该前端部的该下半导体层中，且该第一后端绕射光栅形成于该分布式回馈激光的该后端部的该上半导体层中，其中该分布式回馈激光更包括一第二后端绕射光栅，其中该第二后端绕射光栅形成于该分布式回馈激光的该后端部的该下半导体层中，或(2)该前端绕射光栅形成于该分布式回馈激光的该前端部的该上半导体层中，且该第一后端绕射光栅形成于该分布式回馈激光的该后端部的该下半导体层中，其中该分布式回馈激光更包括一第二后端绕射光栅，其中该第二后端绕射光栅形成于该分布式回馈激光的该后端部的该上半导体层中；其中该第二后端绕射光栅与该主动层之间的一距离等于该前端绕射光栅与该主动层之间的该距离，其中该第二后端绕射光栅具有一第二后端绕射光栅长度，其中该第二后端绕射光栅具有一第二后端绕射光栅周期以及一第二后端绕射光栅责务周期，其中该第二后端绕射光栅长度等于该第一后端绕射光栅长度，其中该前端绕射光栅周期等于该第二后端绕射光栅周期，其中该第二后端绕射光栅责务周期等于100％。
4.如权利要求1所述的调变激光二极管改良结构，其特征在于，该前端绕射光栅与该主动层之间的一距离小于该第一后端绕射光栅与该主动层之间的一距离。
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