[发明专利]一种基于负载调整结构的低噪声比较器有效
申请号: | 201910294772.3 | 申请日: | 2019-04-12 |
公开(公告)号: | CN110034763B | 公开(公告)日: | 2022-06-03 |
发明(设计)人: | 徐代果;蒋和全;李儒章;王健安;陈光炳;付东兵;王育新;于晓权;李梁 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第二十四研究所 |
主分类号: | H03M1/14 | 分类号: | H03M1/14;H03K5/24 |
代理公司: | 重庆辉腾律师事务所 50215 | 代理人: | 卢胜斌 |
地址: | 400060 *** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 负载 调整 结构 噪声 比较 | ||
本发明属于模拟或数模混合集成电路技术领域,涉及一种基于负载调整结构的低噪声比较器。包括预放大级以及锁存器;在预放大级的输出端Dip/Din均设置有负载电容调整结构;所述负载电容调整结构包括与非门NAND和开关K,以及电容C;开关K的一端和预放大级的输出Dip/Din相连,开关K的另一端和电容C的一端相连,电容C的另一端接地,输出Dip/Din作为与非门NAND的输入端。当比较器处于噪声敏感区域时,开关K导通,使得电容C接入预放大级输出端,从而降低预放大级带宽并抑制了噪声。当比较器处于噪声不敏感区域或者复位阶段时,开关K关断,使得电容C和预放大级的输出端断开,从而提高了比较器的速度。
技术领域
本发明属于模拟或数模混合集成电路技术领域,涉及一种基于负载调整结构的低噪声比较器。
背景技术
近年来,随着集成电路制造技术的不断发展,CMOS器件的特征尺寸不断减小,集成电路的工作电压也不断降低,在深亚微米工艺下,模数转换器的工作速度得到了极大的提高,同时,功耗进一步降低。但是,作为模数转换器的核心组成部分,比较器的性能成了高速低功耗设计的瓶颈。传统的几种比较器结构,很难同时满足速度、功耗和低电源电压等要求。
在精度要求较低的场合,可以采用单级锁存器作为比较器结构,单级锁存器该结构的优点在于速度快,功耗低。但缺点是噪声和失调较大,在精度要求较高的场合,为了抑制单级锁存器高噪声和高失调的缺点,比较器通常由多级预放大级(Preamp)级联后,再与锁存级(Latch)相连的结构。多级级连比较器原理图如图1所示,通过预放大级提供较高的增益,对比较器的等效输入噪声进行抑制,通过预放大级输出信号较缓慢的变化,对比较器的失调进行抑制。输入信号Vip和Vin经过几级预放大级的放大后,再输入锁存器,使得锁存器的大噪声和大失调不会影响比较器的比较精度。为了更详细的描述上述问题,以一级预放大级和一级锁存器的级联为例,分析两种传统结构比较器的工作原理和优缺点。图2给出了一种传统一级预放大级和一级锁存器级联比较器的原理图,如图2所示,其中由NMOS管M0,M1,M2和电阻R构成预放大级,由NMOS管M3,M4,M5,M10,M11,M12和PMOS管M6,M7,M8,M9构成锁存器级。当比较器处于复位状态时,控制信号clk为0,使得M0,M3和M10关断,整个比较器没有静态功耗;当比较器处于比较器状态时,控制信号clk为1,预放大级的直流增益A可表示为:
A=gm·(R||ro) (1)
其中,gm表示输入管M1和M2的跨导,ro表示输入管M1和M2的小信号等效输出阻抗。
此时,预放大级的主极点p可表示为:
其中,Cp表示预放大级输出端的负载电容。
由预放大级等效输入噪声的计算公式可知,如果增加预放大级的直流增益或者减小预放大级的带宽,可以减小预放大级的等效输入噪声。由式(1)可知,当预放大级设计完成之后,输入管跨导gm,输入管小信号等效输出阻抗ro和负载电阻R都是固定的,由式(2)可知,如果要减小预放大级等效输入噪声,可以通过减小预放大级的主极点实现,进而,需要增加预放大级的负载电容。为了实现上述低噪声的目的,增加预放大级负载电容后,图3给出了低噪声比较器的原理图,由图3可知,在预放大级的输出端,增加了负载电容C,从而降低了预放大级的带宽,对预放大级的等效输入噪声起到了较好的抑制作用。但这种技术的缺点在于,当预放大级的输出电压经过放大之后,噪声已经不是限制比较器性能的主要因素,同时,在比较器的复位过程中,由于预放大级输出端电容C的存在,会明显降低比较器的复位速度,增加比较器的功耗。
发明内容
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