[发明专利]封装基板及制作方法在审
| 申请号： | 201910295090.4 | 申请日： | 2019-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN110098154A | 公开（公告）日： | 2019-08-06 |
| 发明（设计）人： | 龚国华;张浩 | 申请（专利权）人： | 深圳通感微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/14 | 分类号： | H01L23/14;H01L23/373;H01L21/48;H01L33/64 |
| 代理公司： | 深圳市瑞方达知识产权事务所(普通合伙) 44314 | 代理人： | 林俭良;冯小梅 |
| 地址： | 518034 广东省深圳市福田区红*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮化铝过渡层 封装基板 金属衬 导热金属 第一表面 氮化铝 氮化铝层 导热性能 技术基础 介电性能 混合物 热导率 制作 保证 | ||
1.一种封装基板，其特征在于，所述封装基板包括：
由导热金属制成的金属衬底；
氮化铝过渡层，形成在所述金属衬底的第一表面上，所述氮化铝过渡层的主要成分包括铝和氮化铝的混合物；
氮化铝层，形成在所述氮化铝过渡层远离所述金属衬底一侧的第一表面上。
2.根据权利要求1所述的封装基板，其特征在于，所述封装基板还包括：
电极层，形成在所述氮化铝层远离所述氮化铝过渡层一侧的第一表面上；
其中，所述电极层包括：
第一电极层，形成在所述氮化铝层远离所述氮化铝过渡层一侧的第一表面上；
第二电极层，形成在所述第一电极层远离所述氮化铝层一侧的第一表面上；
所述电极层的厚度为0.1-1微米；所述第一电极层的厚度为0.01-0.1微米。
3.根据权利要求1所述的封装基板，其特征在于，所述导热金属为除铁钴镍之外的金属；所述氮化铝过渡层的厚度为0.1-2微米；所述氮化铝层的厚度为0.1-10微米。
4.根据权利要求1所述的封装基板，其特征在于，
所述氮化铝过渡层的主要成分包括铝和氮化铝的梯度混合物；
沿所述金属衬底到所述氮化铝层的方向，所述氮化铝过渡层中所述铝的含量逐渐降低而所述氮化铝的含量逐渐升高，其中，所述氮化铝过渡层中所述铝的含量从100%逐渐降低至0而所述氮化铝的含量从0逐渐升高至100%。
5.根据权利要求1所述的封装基板，其特征在于，
所述导热金属为铝，所述金属衬底为铝衬底；
所述氮化铝过渡层和所述氮化铝层通过射频磁控溅射的方式沉积而形成；在沉积过程中通过控制等离子气氛中氮气的比例来控制所述氮化铝过渡层中所述铝和所述氮化铝的含量。
6.一种封装基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
提供由导热金属制成的金属衬底；
在所述金属衬底的第一表面形成氮化铝过渡层，所述氮化铝过渡层的主要成分包括铝和氮化铝的混合物；
在所述氮化铝过渡层远离所述金属衬底一侧的第一表面形成氮化铝层，进而得到所述封装基板。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：所述导热金属为除铁钴镍之外的金属；
在所述氮化铝层远离所述氮化铝过渡层一侧的第一表面形成电极层；
其中，所述在所述氮化铝层远离所述氮化铝过渡层一侧的第一表面形成电极层，包括：
在所述氮化铝层远离所述氮化铝过渡层一侧的第一表面形成第一电极层；
在所述第一电极层远离所述氮化铝层一侧的第一表面形成第二电极层；
所述电极层的厚度为0.1-1微米；所述第一电极层的厚度为0.01-0.1微米；
所述氮化铝过渡层的厚度为0.1-2微米；所述氮化铝层的厚度为0.1-10微米。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述金属衬底的第一表面形成氮化铝过渡层的步骤中，包括：
在所述氮化铝过渡层形成过程中，通过控制等离子气氛中氮气的比例来控制所述氮化铝过渡层中所述铝和所述氮化铝的含量；
所述氮化铝过渡层的主要成分包括所述铝和所述氮化铝的梯度混合物；
在所述金属衬底到所述氮化铝层的方向，所述氮化铝过渡层中所述铝的含量逐渐降低而所述氮化铝的含量逐渐升高，其中，所述氮化铝过渡层中所述铝的含量从100%逐渐降低至0而所述氮化铝的含量从0逐渐升高至100%。
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