[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201910295434.1 | 申请日： | 2019-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN111816563A | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 王楠 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底包括器件密集区和器件稀疏区，且所述衬底上形成有鳍部；
在所述衬底上形成伪栅结构，所述伪栅结构横跨所述鳍部；
在所述器件密集区的所述伪栅结构两侧的所述鳍部内形成第一沟槽，同时在所述器件稀疏区的所述伪栅结构两侧的所述鳍部内形成第二沟槽；
在所述第一沟槽和所述第二沟槽内形成第一应力层；
在所述伪栅结构的侧壁上形成牺牲侧墙；
在所述第二沟槽的所述第一应力层上形成第二应力层；
去除所述牺牲侧墙。
2.如权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，在所述器件密集区，所述牺牲侧墙覆盖所述第一沟槽内的所述第一应力层。
3.如权利要求2所述半导体器件的形成方法，其特征在于，所述牺牲侧墙的材料包括氮化硅、氧化硅、碳化硅、碳氮化硅中的一种或者多种。
4.如权利要求1所述半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述第二应力层采用的方法为外延生长法，在形成所述第二应力层的外延生长法中，工艺温度为500～800℃、反应室压强为1～100托、反应气体为硅烷。
5.一种采用权利要求1至4任一项方法所形成的半导体器件，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底包括器件密集区和器件稀疏区；
鳍部，位于所述衬底上；
伪栅结构，位于所述衬底上，横跨所述鳍部；
第一沟槽，位于所述器件密集区的所述伪栅结构两侧的所述鳍部内；
第二沟槽，位于所述器件稀疏区的所述伪栅结构两侧的所述鳍部内；
第一应力层，位于所述第一沟槽和所述第二沟槽内；
第二应力层，位于所述第二沟槽内的所述第一应力层上。
6.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括，
提供衬底，所述衬底包括器件密集区和器件稀疏区，且所述衬底上形成有鳍部；
在所述衬底上形成伪栅结构，所述伪栅结构横跨所述鳍部；
在所述器件密集区的所述伪栅结构两侧的所述鳍部内形成第一沟槽，同时在所述器件稀疏区的所述伪栅结构两侧的所述鳍部内形成第二沟槽；
在所述器件密集区的所述伪栅结构的侧壁上形成牺牲侧墙；
在所述第二沟槽内形成第二应力层；
去除所述牺牲侧墙；
在所述第一沟槽内、所述第二应力层上形成第一应力层。
7.如权利要求6所述半导体器件的形成方法，其特征在于，在所述器件密集区，所述牺牲侧墙覆盖所述第一沟槽。
8.如权利要求6所述半导体器件的形成方法，其特征在于，当所述半导体器件为POMS器件，形成所述第二应力层采用的方法为外延生长法，在形成所述第二应力层的外延生长法中，工艺温度为500～800℃、反应室压强为1～100托、反应气体包括硅烷和锗化氢气体。
9.如权利要求6所述半导体器件的形成方法，其特征在于，当所述半导体器件为NOMS器件，形成所述第二应力层采用的方法为外延生长法，在形成所述第二应力层的外延生长法中，工艺温度为500～800℃、反应室压强为1～100托、反应气体包括硅烷和磷化氢气体。
10.一种采用权利要求6至9任一项方法所形成的半导体器件，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底包括器件密集区和器件稀疏区；
鳍部，位于所述衬底上；
伪栅结构，位于所述衬底上，横跨所述鳍部；
第一沟槽，位于所述器件密集区的所述伪栅结构两侧的所述鳍部内；
第二沟槽，位于所述器件稀疏区的所述伪栅结构两侧的所述鳍部内；
第二应力层，位于所述第二沟槽内；
第一应力层，位于所述第一沟槽内和所述第二应力层上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
