[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，

具有：

半导体基板，其具有单元区域、终端区域以及配线区域，该终端区域配置于所述单元区域的外周，所述配线区域配置于所述单元区域与所述终端区域之间或配置于所述单元区域之间；

IGBT，其设于所述单元区域；

绝缘膜，其在所述配线区域设于所述半导体基板之上；

栅极电极，其设于所述绝缘膜之上，与所述IGBT的栅极连接；

p阱层，其在所述终端区域设于所述半导体基板的表面；以及

二极管，其一部分设于所述配线区域，

所述二极管具有设于所述半导体基板的所述表面的p基极层、以及设于所述半导体基板的背面的n阴极层，

所述二极管的所述p基极层以及所述n阴极层的一部分在所述配线区域设于所述绝缘膜以及所述栅极电极的下方，

所述p基极层共通地设于所述配线区域和所述单元区域，与所述p阱层相比杂质浓度低、深度浅。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在所述半导体基板，在所述p基极层和所述n阴极层之间设有n漂移层，

从所述p阱层到所述n阴极层的距离大于或等于所述p阱层正下方的所述n漂移层的厚度。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

还具有：

p发射极层，其一部分在所述配线区域的所述绝缘膜的下方设于所述p基极层的表面，比所述p基极层杂质浓度高；以及

表面电极，其在所述绝缘膜的下方以外的区域与所述p基极层以及所述p发射极层连接，

所述p发射极层与所述p阱层分离。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

所述p发射极层局部地设于与所述表面电极连接的部分。

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体基板由宽带隙半导体形成。

6.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体基板由宽带隙半导体形成。

7.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体基板由宽带隙半导体形成。