[发明专利]钙钛矿电池及其制备方法在审
| 申请号： | 201910295717.6 | 申请日： | 2019-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN111816769A | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 郑力家;唐泽国;张倩 | 申请（专利权）人： | 北京宏泰创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48 |
| 代理公司： | 北京风雅颂专利代理有限公司 11403 | 代理人： | 陈宙;于晓霞 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京经济技*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 钙钛矿 电池 及其 制备 方法 | ||
1.一种钙钛矿电池，其特征在于，包括：电子传输层，所述电子传输层掺杂Be。
2.根据权利要求1所述的一种钙钛矿电池，其特征在于，所述电子传输层的材料包括SnO2。
3.根据权利要求2所述的一种钙钛矿电池，其特征在于，所述SnO2与所述Be的摩尔比为1：0.09-1：0.01。
4.根据权利要求4所述的一种钙钛矿电池，其特征在于，所述电子传输层的厚度为30nm-100nm。
5.根据权利要求2所述的一种钙钛矿电池，其特征在于，还包括：
衬底；
位于所述衬底上的透明导电薄膜层；
位于所述透明导电薄膜层上的所述含Be的SnO2层；
位于所述电子传输层上的钙钛矿吸收层；
位于所述钙钛矿吸收层上的空穴传输层；
位于所述空穴传输层上的电极。
6.根据权利要求5所述的一种钙钛矿电池，其特征在于，所述钙钛矿吸收层材料包括AXFAYMAZPbH3(x＝0-1，Y＝0-1，Z＝0-1),其中A包括Cs、Rb、K中的至少一种；H包括Br、I中的至少一种。
7.根据权利要求5所述的一种钙钛矿电池，其特征在于，所述空穴传输层材料包括Spiro-OMeTAD、PTAA、CuI、CuPc、CuSCN、NiO中的至少一种。
8.一种制备如权利要求1所述钙钛矿电池的方法，其特征在于，包括以下步骤：
形成所述掺杂Be的电子传输层。
9.根据权利要求8所述钙钛矿电池的方法，其特征在于，所述掺杂Be的电子传输层包括含Be的SnO2层，其中所述SnO2与所述Be的摩尔比为1：0.09-1：0.01。
10.根据权利要求9所述钙钛矿电池的方法，其特征在于，通过磁控溅射法沉积所述含Be的SnO2层。
11.根据权利要求9所述钙钛矿电池的方法，其特征在于，在真空条件下制备所述Be的SnO2层，制程功率密度为2.0W/cm2-2.5W/cm2，沉积气氛为氩氧气混合气体，其中氧气和氩气体积之比为9：1，沉积温度为70°-90°。
12.根据权利要求11所述钙钛矿电池的方法，其特征在于，所述真空度为19Pa-22Pa。
13.根据要求9所述钙钛矿电池的方法，其特征在于，还包括以下步骤：
在所述衬底上形成所述透明导电薄膜层；
在所述透明导电薄膜层上形成所述含Be的SnO2层；
在所述含Be的SnO2层上形成所述钙钛矿吸收层；
在所述钙钛矿吸收层上形成所述空穴传输层；
在所述空穴传输层上形成所述电极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
