[发明专利]光电二极管制备方法及其光电二极管

权利要求书

1.一种光电二极管制备方法，其特征在于，包括：

在硅衬底的一面形成外延层，所述外延层掺杂有第一类型材料；

在所述外延层的第一区域进行第二类型材料掺杂，形成第一掺杂区；

在所述外延层的上表面形成传输栅，所述传输栅的一侧与所述第一掺杂区连接；

对所述外延层的第二区域进行第二类型材料掺杂，形成第二掺杂区，所述第二掺杂区与所述第一掺杂区连接；

在所述外延层的第三区域进行第二类型材料掺杂，获得输出区域，所述传输栅的另一侧与所述输出区域连接。

2.根据权利要求1所述的光电二极管制备方法，其特征在于，所述在所述外延层的第一区域进行第二类型材料掺杂，形成第一掺杂区之前，还包括：

在所述第一区域下方进行第一类型材料掺杂，形成第一隔离区。

3.根据权利要求2所述的光电二极管制备方法，其特征在于，所述在所述外延层的上表面形成传输栅之前，还包括：

在所述第二掺杂区以及第一掺杂区的上方进行第一类型材料掺杂，形成第二隔离区；

所述传输栅的一侧与所述第一掺杂区连接，包括：

所述传输栅的所述一侧通过所述第二隔离区与所述第一掺杂区连接。

4.根据权利要求1-3任一项所述的光电二极管制备方法，其特征在于，所述第二类型材料与所述第一类型材料分别为不同类型的半导体材料，所述半导体材料包括P型半导体材料和N型半导体材料。

5.根据权利要求4所述的光电二极管制备方法，其特征在于，所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间存在重叠区域。

6.一种光电二极管，其特征在于，包括：外延层、第一掺杂区、传输栅、第二掺杂区、输出区域；

所述外延层设置在硅衬底上，所述外延层掺杂有第一类型材料；

所述第一掺杂区设置在所述外延层的第一区域，所述第一掺杂区掺杂有第二类型材料掺杂；

所述第二掺杂区设置在所述外延层的第二区域，所述第二掺杂区掺杂有第二类型材料，所述第二掺杂区与所述第一掺杂区连接；

所述传输栅设置在所述外延层的上表面，所述传输栅的一侧与所述第一掺杂区连接；

所述输出区域设置在所述外延层的第三区域，所述输出区域中掺杂有第一类型材料，所述传输栅的另一侧与所述输出区域连接。

7.根据权利要求6所述的光电二极管，其特征在于，还包括：第一隔离区；

所述第一隔离区设置在所述第一区域下方，所述第一隔离区中掺杂有第一类型材料。

8.根据权利要求7所述的光电二极管，其特征在于，还包括：第二隔离区；

所述第二隔离区设置在所述第二掺杂区以及所述第一掺杂区的上方，所述第二隔离区包括第一类型材料掺杂；

所述传输栅的所述一侧通过所述第二隔离区与所述第一掺杂区连接。

9.根据权利要求6-8任一项所述的光电二极管，其特征在于，所述第二类型材料与所述第一类型材料分别为不同类型的半导体材料，所述半导体材料包括P型半导体材料和N型半导体材料。

10.根据权利要求9所述的光电二极管，其特征在于，所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间存在重叠区域。