[发明专利]一种像素结构、显示屏以及像素结构制作方法有效
申请号: | 201910297761.0 | 申请日: | 2019-04-15 |
公开(公告)号: | CN110098224B | 公开(公告)日: | 2021-09-21 |
发明(设计)人: | 杨小龙;杜晓松;周文斌;张峰;孙剑;高裕弟 | 申请(专利权)人: | 昆山梦显电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56;G06K9/20;G06K9/00 |
代理公司: | 苏州携智汇佳专利代理事务所(普通合伙) 32278 | 代理人: | 尹丽 |
地址: | 215300 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 像素 结构 显示屏 以及 制作方法 | ||
本发明提供了一种像素结构、显示屏以及像素结构制作方法。所述像素结构包括基板、阵列设置于所述基板上的发光显示像素单元以及阵列设置的指纹感测像素。所述指纹感测像素包括依次层叠设置的第一电极、还原氧化石墨烯层以及第二电极。相较于现有技术,本发明的像素结构无需设计复杂的光路,从而减少了制作工序,降低了生产难度以及生产成本。
技术领域
本发明涉及屏下指纹识别领域,尤其涉及一种像素结构、具有该像素结构的显示屏以及像素结构制作方法。
背景技术
全面屏电子设备(例如,手机、平板电脑等等)凭借广阔的视野和舒适的手感深受用户的欢迎。为了让电子设备达到更高的屏占比,很多厂商将前置指纹感测组件挪到电子设备的背面成为后置指纹解锁,也有不少厂商采用虹膜解锁或面部识别等解决方案去替代指纹识别。然而,这几种解决方案要么影响电子设备的整体美观度,要么无法做到极致的屏占比。
为了解决上述问题,研发人员开发出了屏下指纹技术。例如,中国第201880001882X号专利申请揭示了具有微透镜阵列的屏下指纹技术、具有光学准直器阵列的屏下指纹技术以及具有针孔阵列的屏下指纹技术。然而,这些技术方案都是基于采用非晶硅光电二极管,该工艺制程复杂、成本极其高昂。并且,这些技术方案都需要设计复杂的光路,以利于非晶硅光电二极管接受携带指纹信息的信号光。
鉴于上述问题,有必要提供一种新的屏下指纹技术方案,以解决上述问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种像素结构、具有该像素结构的显示屏以及像素结构制作方法,该像素结构无需设计复杂的光路,从而减少了制作工序,降低了生产难度以及生产成本。
为实现上述目的,本发明提供了一种像素结构,包括:基板;阵列设置于所述基板上的发光显示像素单元,所述发光显示像素单元用以形成显示图像的一部分;以及阵列设置的指纹感测像素,所述指纹感测像素用以接受由所述发光显示像素单元中的至少一部分发出的并经手指反射后返回至所述指纹感测像素的光,其包括依次层叠设置的第一电极、还原氧化石墨烯层以及第二电极。
作为本发明的进一步改进,所述指纹感测像素阵列设置于所述基板上,并与所述发光显示像素单元处于同一平面上。
作为本发明的进一步改进,所述发光显示像素单元包括依次层叠设置于所述基板上的第三电极、像素层以及第四电极;所述像素层包括阵列设置的多个第一发光显示像素、第二发光显示像素以及第三发光显示像素;所述第一发光显示像素、第二发光显示像素、第三发光显示像素以及指纹感测像素排列呈田字型。
作为本发明的进一步改进,所述第一电极、第三电极为复合型透明导电薄膜,所述复合型透明导电薄膜包括一对氧化铟锡膜以及位于一对氧化铟锡膜之间的银膜。
作为本发明的进一步改进,所述第一电极、第三电极为复合型透明导电薄膜,所述复合型透明导电薄膜包括一对氧化铟锡膜以及位于一对氧化铟锡膜之间的铝膜。
作为本发明的进一步改进,所述像素结构还设置有与所述指纹感测像素相配合的微透镜阵列,以将携带指纹信息的信号光聚集至所述指纹感测像素。
作为本发明的进一步改进,所述发光显示像素单元包括依次层叠设置于所述基板上的第三电极、像素层以及第四电极;所述像素层包括阵列设置的多个发光显示像素,相邻的两个所述发光显示像素之间具有针孔,所述第三电极、第四电极在对应所述针孔的位置上镂空设置;所述指纹感测像素设置于所述发光显示像素单元的下方并与所述针孔配合,以便通过所述针孔将携带指纹信息的信号光引导至所述指纹感测像素。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的