[发明专利]混合功率放大器电路或系统及其操作方法

权利要求书

1.一种混合功率放大器电路，其被配置成在基频下放大第一信号分量，其特征在于，所述混合功率放大器电路包括：

初级放大装置，其包括基于硅的晶体管装置的第一晶体管；

末级放大装置，其包括为由选自氮化镓、砷化镓、磷化镓、磷化铟和锑化铟的半导体材料制成的III-V晶体管装置的第二晶体管；

中间电路系统，其耦合所述初级放大装置和所述末级放大装置，

其中所述中间电路系统包括低通电路和高通电路，所述中间电路系统以所述基频的倍数的谐波频率提供第二信号分量的谐波终止，并且所述中间电路系统不以所述基频实现所述第一信号分量的阻抗变换；以及

输入预匹配电路系统，其耦合所述中间电路系统和所述末级放大装置，其中所述输入预匹配电路以所述基频实现所述第一信号分量的阻抗变换。

2.根据权利要求1所述的混合功率放大器电路，其特征在于，所述基于硅的晶体管装置为LDMOS晶体管装置。

3.根据权利要求1所述的混合功率放大器电路，其特征在于，所述III-V晶体管装置为氮化镓(GaN)晶体管装置，并且

其中所述谐波频率是所述基频的两倍。

4.根据权利要求1所述的混合功率放大器电路，其特征在于，所述中间电路系统包括与所述初级装置的输出端耦合的输入端口，并且还包括与所述末级装置的输入端耦合的输出端口。

5.根据权利要求4所述的混合功率放大器电路，其特征在于，所述低通电路包括具有第一电感器和第一电容器的第一低通滤波器电路，其中所述高通电路包括具有第二电容器和第二电感器的第一高通滤波器电路。

6.根据权利要求5所述的混合功率放大器电路，其特征在于，所述第一电感器耦合到所述输入端口，其中所述第二电容器耦合到所述输出端口，并且其中所述第一电感器和所述第二电容器串联耦合在所述输入端口与所述输出端口之间。

7.一种混合功率放大器模块，其被配置成在基频下放大第一信号分量，其特征在于，所述混合功率放大器模块包括：

基板；

第一管芯，其至少间接地支撑在所述基板上，并且初级放大电路至少部分地形成在所述第一管芯上，所述初级放大电路包括基于硅的晶体管装置的第一晶体管；

第二管芯，其至少间接地支撑在所述基板上，并且末级放大电路至少部分地形成在所述第二管芯上，所述末级放大电路包括为由选自氮化镓、砷化镓、磷化镓、磷化铟和锑化铟的半导体材料制成的III-V晶体管装置的第二晶体管；

中间电路系统，其至少间接地支撑在所述基板上，所述中间电路系统耦合所述初级放大装置和所述末级放大装置，

其中所述中间电路系统包括低通电路和高通电路，所述中间电路系统以所述基频的倍数的谐波频率提供第二信号分量的谐波终止，并且所述中间电路系统不以所述基频实现所述第一信号分量的阻抗变换；以及

输入预匹配电路系统，其耦合所述中间电路系统和所述末级放大装置，其中所述输入预匹配电路以所述基频实现所述第一信号分量的阻抗变换。

8.一种提供放大的方法，其特征在于，所述方法包括：

提供混合功率放大器模块，所述混合功率放大器模块具有包括基于硅的晶体管装置的第一晶体管的初级放大装置、包括为由选自氮化镓、砷化镓、磷化镓、磷化铟和锑化铟的半导体材料制成的III-V晶体管装置的第二晶体管的末级放大装置、耦合所述初级放大装置和所述末级放大装置且包括低通电路和高通电路的中间电路系统和耦合所述中间电路系统和所述末级放大装置的输入预匹配电路系统；

在所述初级放大装置处接收RF输入信号；

通过所述初级放大装置放大所述RF信号以生成具有在基频下的第一分量和在谐波频率下的第二分量的经放大RF信号，所述谐波频率是所述基频的倍数；

通过所述中间电路系统修改所述经放大RF信号，以便为所述输入预匹配电路系统提供修改后的经放大RF信号，其中修改所述经放大RF信号包括在所述谐波频率下谐波地终止所述第二分量而不在所述基频下实现所述第一分量的阻抗变换；

通过所述输入预匹配电路系统进一步修改所述修改后的经放大RF信号，以便为所述末级放大装置提供进一步修改后的所述修改后的经放大RF信号，其中进一步修改所述修改后的经放大RF信号包括在所述基频下实现所述第一分量的阻抗变换；以及

进一步放大所述进一步修改后的所述修改后的经放大RF信号以生成RF输出信号。