[发明专利]一种银钼触头材料的制备工艺及其产品有效
申请号: | 201910297990.2 | 申请日: | 2019-04-15 |
公开(公告)号: | CN110000374B | 公开(公告)日: | 2021-05-07 |
发明(设计)人: | 宋振阳;林旭彤;周克武;孔欣;费家祥;宋林云;黄庆忠;郭义万;夏宗斌;张明江 | 申请(专利权)人: | 福达合金材料股份有限公司 |
主分类号: | B22F1/02 | 分类号: | B22F1/02;B22F9/24;B22F3/02;B22F3/10;C22C1/04;C22C27/04 |
代理公司: | 温州名创知识产权代理有限公司 33258 | 代理人: | 陈加利 |
地址: | 325000 浙江省温州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 银钼触头 材料 制备 工艺 及其 产品 | ||
本发明公开了一种银钼触头材料的制备工艺及其产品,其工艺包括(1)将钼粉与硝酸银溶液加入反应容器中,并向反应容器中通入聚乙二醇、氢氧化钠溶液和葡萄糖溶液,在超声振荡和搅拌条件下进行还原反应,将银析出并包裹于钼粉体外,形成银包钼复合粉体,所述的银包钼复合粉体的结构为:钼颗粒外部覆盖一层厚度为10~200nm的纯银壳层;(2)将所述的银包钼复合粉体和银粉混合,成为含银5%的银钼粉体,然后压制成孔隙率在5~50%的触头压坯;(3)将所述触头压坯,与银块置于氨分解气氛保护的烧结炉中进行烧结、熔渗,从而获得规定尺寸与成分的银钼触头材料。本发明具有以下优点和效果:能够制作并得到高钼含量的高致密性熔渗型银钼材料,通常钼的质量比在45%‑85%。
技术领域
本发明属于金属触头材料领域,具体是指一种银钼触头材料的制备工艺。
背景技术
采用熔渗工艺制作的银钼(AgMo)材料是一种综合性能较好的触头材料,相比银钨材料具有一定的节银优势,应用前景比较广阔。
为提升银钼材料的抗电弧能力,通常需要将材料中的钼粒度降低,同时提升钼的含量。当银钼粉体中钼含量过高,混合粉体中存在巨大的钼颗粒表面,不可避免的在粉体成型过程中遇到大量的钼颗粒与颗粒相邻的情况。而由于其高硬度,钼颗粒与颗粒表面接触受压时,几乎不会发生塑性变形,因此颗粒间无法形成相互啮合,导致压坯中极易出现裂纹,甚至压坯无法成型。
因此,制作高钼含量的银钼材料一直以来是业界难题。这一问题也在相当大程度上限制了电器分断性能的进一步提升。
发明内容
本发明的目的是为了克服现有技术存在的缺点和不足,而提供一种银钼触头材料的制备工艺。该工艺能够制作得到高钼含量的高致密性银钼材料。
作为本发明的第一个方面,该工艺制备的材料具有高钼含量,其技术方案包括有以下步骤:
(1)用于包裹钼粉颗粒的银的用量mAg采用如下公式计算:
其中mMo是所用钼粉总质量,ρAg是银的密度,ρMo是钼的密度,d是钼粉颗粒的平均粒径,其单位为um,x是所包裹银层的厚度,其单位为um;
(2)将步骤1所得到的银的用量换算成硝酸银用量,称取硝酸银,将硝酸银在去离子水中溶解制成硝酸银溶液,将钼粉体与硝酸银溶液加入反应容器中,并向反应容器中通入聚乙二醇、氢氧化钠溶液和葡萄糖溶液,在超声振荡和搅拌条件下进行还原反应,将银析出并包裹于钼粉体外,形成银包钼复合粉体,所述的银包钼复合粉体的结构为:钼粉体颗粒外部覆盖一层厚度为10~200nm的纯银壳层;
(3)将所述的银包钼复合粉体和银粉混合,成为含5wt%的银包钼复合粉体的混合粉体,然后压制成孔隙率在为5~50%的压坯;
(4)将所述压坯与银块置于氨分解气氛保护的烧结炉中烧结、熔渗,获得高致密性的钼所占质量百分比在45%~85%的银钼触头材料。
进一步设置是所述的步骤(2)包括有以下步骤:
(2.1)将钼粉体与定量的硝酸银溶液加入反应容器中,再向反应容器中加入聚乙二醇,超声振荡和搅拌使其混合均匀;
(2.2)保持超声振荡和搅拌,向反应容器中加入氢氧化钠溶液直至溶液达到pH8-9,继续超声振荡和搅拌使其混合均匀;
(2.3)保持超声搅拌,向反应容器中逐渐加入葡萄糖溶液,加入速度0.5-2L/min,直至反应终点,继续超声振荡和搅拌,进行还原反应,析出的银包裹于钼粉体上形成银包钼复合粉体;
(2.4)将反应容器中的反应产物溶液抽滤,分离出银包钼复合粉体,并清洗干燥。
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