[发明专利]一种二维层状材料样品电学测试微电极的制备方法

权利要求书

1.一种二维层状材料样品电学测试微电极的制备方法，其特征在于，通过聚焦离子束辅助沉积的方式从二维层状材料上引出微电极，该方法包括以下具体步骤：

步骤1：提供一硅片，在硅片上分布单层或者少层的二维层状材料；

步骤2：通过原子力显微镜(AFM)定位一单层或者少层的待测二维层状样品，确认二维层状材料厚度，选取合适的样品；

步骤3：在二维层状样品附近做好激光标记，激光标记距离样品有安全距离；

步骤4：将样品转移到聚焦离子束显微镜中，在弱电子束下通过激光标记处找到样品，通过电子束沉积5-10nm的氧化硅保护样品中心区域；

步骤5：选定样品附近一特征点进行电子束离子束的对中，避免离子束扫描到样品区域；

步骤6：在弱电子束移动样品，切换到离子束下对样品四角进行微电极的沉积；

步骤7：通过常规蒸镀电极沉积金属电极和微电极相连。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤3所述激光标记，具体包括：

A1：在光学显微镜下确认样品位置；

A2：在距离样品任意边沿1-2cm处用激光打一个标记，该标记形状不限，深度1-5μm。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤5所述电子束和离子束对中，具体包括：

B1：在电子束下选取样品附近激光标记碎屑为特征点；

B2：针对B1选取的特征点进行聚焦离子束下电子束和离子束的对中。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，步骤6所述微电极沉积，具体包括：

B3：在低电压低束流电子束下，将二维材料样品移至屏幕中心；电子束电压低于2kv，束流低于50PA；

B4：切换到离子束下，在样品四角进行离子束辅助微电极沉积，电极大小宽度方向50nm-500nm，长度方向2-10μm；离子束电压低于5kv，束流低于80PA。

5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，步骤5所述电子束和离子束对中，在0度电子束条件下找到一特征点，倾转样品台到52度，通过调节高度Z使得该特征点始终位于屏幕中心位置。

6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，步骤6选用的沉积电极金属是W或Pt。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤7中电极材料是Au、Ag、Pt、W、Al或Cu。