[发明专利]一种静电放电保护结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201910299308.3 | 申请日： | 2019-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN110071104B | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 李志国 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人： | 陈敏 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 静电 放电 保护 结构 及其 制作方法 | ||
1.一种静电放电保护结构，其特征在于，包括：
空闲区域，所述空闲区域包括浅沟槽隔离结构；
放电元件区域，环绕所述空闲区域的四周，所述放电元件区域中设有多个并联连接的NMOS晶体管；
衬底接触部，环绕所述放电元件区域四周。
2.根据权利要求1所述的静电放电保护结构，其特征在于：所述空闲区域的面积与所述放电元件区域的面积比例范围是1:9～3:2。
3.根据权利要求1所述的静电放电保护结构，其特征在于：所述静电放电保护结构还包括保护环，所述保护环环绕所述放电元件区域四周，并位于所述衬底接触部外围。
4.根据权利要求1所述的静电放电保护结构，其特征在于：所述NMOS晶体管包括栅极接地NMOS晶体管及栅极耦合NMOS晶体管中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的静电放电保护结构，其特征在于：多个所述NMOS晶体管采用多指交叉并联结构。
6.根据权利要求1所述的静电放电保护结构，其特征在于：至少有两个所述NMOS晶体管共用源极，至少有两个所述NMOS晶体管共用漏极。
7.一种静电放电保护结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一半导体衬底；
在所述半导体衬底中定义空闲区域与放电元件区域，其中，所述放电元件区域环绕所述空闲区域的四周；
形成多个并联连接的NMOS晶体管于所述放电元件区域；
形成衬底接触部，所述衬底接触部环绕所述放电元件区域四周；
其中，还包括形成浅沟槽隔离结构于所述空闲区域的步骤。
8.根据权利要求7所述的静电放电保护结构的制作方法，其特征在于：还包括形成保护环的步骤，所述保护环环绕所述放电元件区域四周，并位于所述衬底接触部外围。
9.根据权利要求7所述的静电放电保护结构的制作方法，其特征在于：所述空闲区域的面积与所述放电元件区域的面积比例范围是1:9～3:2。
10.根据权利要求7所述的静电放电保护结构的制作方法，其特征在于：所述NMOS晶体管包括栅极接地NMOS晶体管及栅极耦合NMOS晶体管中的至少一种。
11.根据权利要求7所述的静电放电保护结构的制作方法，其特征在于：多个所述NMOS晶体管采用多指交叉并联结构。
12.根据权利要求7所述的静电放电保护结构的制作方法，其特征在于：至少有两个所述NMOS晶体管共用源极，至少有两个所述NMOS晶体管共用漏极。
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H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
