[发明专利]一种制备纳米尺寸金属薄膜图形的方法

权利要求书

1.一种制备纳米尺寸金属薄膜图形的方法，包括以下步骤：

A.在基片上制备光刻胶图形；

B.在所述步骤A得到的覆盖有光刻胶图形的基片上沉积金属薄膜，得到沉积有金属薄膜的基片；

C.将所述步骤B得到的沉积有金属薄膜的基片放入剥离液中，剥离金属，得到带金属翘边的产品；

D.将所述步骤C得到的产品的与空气接触的金属薄膜部分进行氧化，得到带金属翘边的氧化后的产品；

E.将所述步骤D得到的带金属翘边的氧化后的产品放入腐蚀液中，以去除金属翘边；

所述步骤E中的去除金属翘边是通过结合超声进行的；

所述腐蚀液为能够与金属反应但不能与金属的氧化物发生反应或者与金属的氧化物反应非常缓慢的溶液。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述步骤A中的在基片上制备光刻胶图形是通过紫外光刻、深紫外光刻、激光干涉光刻或电子束光刻进行的。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述图形具有至少一个尖锐部。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述图形的剖面为多边形。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述图形的剖面为三角形、四边形、五边形、六边形、七边形、八边形或不规则形状。

6.根据权利要求2所述的方法，其中，所述激光干涉光刻通过包括如下步骤的方法进行：a.将所述基片清洗干净；b.在清洗干净的基片上旋涂光刻胶；c.对旋涂光刻胶的基片进行激光干涉曝光；d.对所述步骤c得到的曝光后的产品进行显影。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述步骤B中的金属薄膜包括钛、镍、钼或铝的金属薄膜。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述步骤B中的金属薄膜的厚度为2nm-20nm。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述步骤C中的剥离金属是通过结合超声进行的。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述步骤B中的沉积金属薄膜是通过电阻式热蒸发、电子束蒸发、磁控溅射、化学气相沉积或原子层沉积进行的。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述步骤D中的氧化是通过自然氧化、热氧化或氧离子轰击进行的。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述氧离子轰击是在以下条件下进行的：轰击进行2-5min，轰击所采用的功率为10-50W，轰击所采用的氧气流量为10-100sccm。

13.根据权利要求1所述的方法，其中，所述步骤A中的光刻胶图形的最大高度为50-500nm，周期为150-1000nm。

14.根据权利要求1所述的方法，其中，所述腐蚀液为浓盐酸。