[发明专利]利于长寿花生长的栽培基质及栽培方法在审

专利信息
申请号: 201910300794.6 申请日: 2019-04-15
公开(公告)号: CN109984006A 公开(公告)日: 2019-07-09
发明(设计)人: 桂敏;李进昆;李绅崇;苏艳;卢珍红;莫锡君;周旭红;龙江 申请(专利权)人: 云南省农业科学院花卉研究所
主分类号: A01G22/60 分类号: A01G22/60;A01G24/10;A01G24/25;A01G24/15;A01G2/10
代理公司: 昆明盛鼎宏图知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 53203 代理人: 闫红烨
地址: 650000 云南*** 国省代码: 云南;53
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摘要:
搜索关键词: 栽培基质 花生 长寿 追肥 长寿花 珍珠岩 基质 椰糠 红土 栽培 比例配制 基质填充 苗期管理 前期处理 生长周期 栽培过程 微量元素 有机质 生长 氮磷钾 开花期 现蕾期 花盆 插穗 定植 分枝 扦插 育苗 管理
【权利要求书】:

1.利于长寿花生长的栽培基质,其特征在于,所述的栽培基质的各组分为红土、椰糠、珍珠岩,各组分基质经前期处理后按如下体积比例配制,椰糠:珍珠岩:红土=4:2:0-4,该基质在定植后第30天开始追肥,且每隔20天追肥一次。

2.根据权利要求1所述的利于长寿花生长的栽培基质,其特征在于:所述的栽培基质的各个组分体积比为:椰糠:珍珠岩:红土=4:2:0。

3.根据权利要求1所述的利于长寿花生长的栽培基质,其特征在于:所述的栽培基质中施加的肥料为水溶性肥料,肥料中氮、磷、钾比例为1:1:1。

4.根据权利要求1所述的利于长寿花生长的栽培基质,其特征在于:基质前期处理包括将基质进行浸泡处理,并用熟石灰将基质pH 值调整到5.5~6.0,基质泡水需要完全浸透,其程度为用手轻捏基质能流出水。

5.利于长寿花生长的栽培方法,其特征在于,包括以下步骤:

S1、基质填充:基质经处理后填充到花盆中,填充过程中保证基质的疏松性,基质填充好后需浇透水份;

S2、扦插:将准备好的枝条顶芽作为插穗,插条的合适长度为5~7cm,扦插时将下部叶片除去,将该茎节直接扦插到装好基质的花盆中,扦插时需保证插穗与基质紧密接触,扦插好后再进行浇水;

S3、苗期管理:将花盆放至蔽荫处或盖上遮阳网,温度保持在20℃-25℃之间,待插穗生根后,将其移至全日照条件下或撤去遮阳网,温度保持在18℃-22℃之间;

S4、成品期管理:在长寿花生长旺盛阶段时,夜温保持在14.7℃~16℃、昼温19.1℃~21.3℃,湿度控制在75-85%,在此期间保证充足的光照,在摘心2周后对植株喷施生长调节剂。

6.根据权利要求5所述的利于长寿花生长的栽培方法,其特征在于:控制温度所采用的设备为雾化降温和天然气加温系统。

7.根据权利要求5所述的利于长寿花生长的栽培方法,其特征在于:步骤S4中所使用的生长调节剂为矮壮素或多效唑,施用的方法可以叶面喷施或土壤浇灌。

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