[发明专利]一种光电芯片的封装结构有效
申请号: | 201910302172.7 | 申请日: | 2019-04-15 |
公开(公告)号: | CN110335850B | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 李明;刘大鹏;宋琦;石暖暖;祝宁华 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | H01L23/13 | 分类号: | H01L23/13;H01L23/14;H01L23/367;H01L23/373;H01L23/38 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周天宇 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 光电 芯片 封装 结构 | ||
1.一种光电芯片的封装结构,包括:
制冷器(1),用于控制所述芯片的温度在第一预设范围内;
热沉(2),设置在所述制冷器(1)上,所述热沉(2)上设置有第一光纤孔位(3)、芯片放置槽(4)、第二光纤孔位(5)和热敏电阻孔位(6),所述芯片放置槽(4)用于放置所述芯片,所述第一光纤孔位(3)、第二光纤孔位(5)和热敏电阻孔位(6)均与所述芯片放置槽(4)连通;
基板(7),设置在所述热沉(2)上,所述基板(7)上设置有直流导线(8)、第一微带线(9)、电极孔(10)、第二微带线(11),其中,所述电极孔(10)的孔位与所述芯片的电极一一对准,所述芯片的电极通过金丝连接至其对准的所述电极孔(10),所述金丝的长度小于预设值,所述直流导线(8)、第一微带线(9)和第二微带线(11)均连接至所述电极孔(10)。
2.根据权利要求1所述的光电芯片的封装结构,其中,所述芯片放置槽(4)的深度大于所述芯片的高度,且该芯片放置槽(4)的深度与该芯片的高度之差在第二预设范围内。
3.根据权利要求1所述的光电芯片的封装结构,其中,所述第一微带线(9)为GSG高频微带线,所述第二微带线(11)为GS高频微带线,该第一微带线(9)和第二微带线(11)传输的微波信号的频率≤30GHz。
4.根据权利要求3所述的光电芯片的封装结构,其中,所述GSG高频微带线连接至所述芯片的GSG电极,所述GS高频微带线连接至所述芯片的GS电极,所述直流导线(8)连接至所述芯片的直流电极。
5.根据权利要求1所述的光电芯片的封装结构,其中,所述热敏电阻孔位(6)用于放置热敏电阻,所述热敏电阻用于将所述芯片的温度反馈至所述制冷器(1)。
6.根据权利要求1所述的光电芯片的封装结构,其中,光纤阵列分别穿过所述第一光纤孔位(3)和第二光纤孔位(5)后耦合至所述芯片,分别用于输入光信号至所述芯片以及输出所述芯片处理后的光信号。
7.根据权利要求1所述的光电芯片的封装结构,其中,所述制冷器(1)为半导体制冷器。
8.根据权利要求1所述的光电芯片的封装结构,其中,所述热沉(2)为镀金铜制热沉。
9.根据权利要求1所述的光电芯片的封装结构,其中,所述基板(7)为氮化铝基板。
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