[发明专利]一种使用闪存模拟具有原子操作特性的EEPROM的方法在审

专利信息
申请号: 201910302177.X 申请日: 2019-04-16
公开(公告)号: CN110045927A 公开(公告)日: 2019-07-23
发明(设计)人: 夏成君 申请(专利权)人: 华大半导体有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 代理人: 李镝的
地址: 201203 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 工作页面 闪存 页面 多个页面 页面确定 原子操作 读操作 写操作 读取 格式化 存储操作 存储系统 软件成本 硬件成本 写入 成功
【权利要求书】:

1.一种使用闪存模拟具有原子操作特性的EEPROM的方法,包括下列步骤:

提供闪存的一个或多个页面作为第一页面;

提供闪存的一个或多个页面作为第二页面;

将第一页面确定为工作页面;

对工作页面进行读操作和/或写操作,其中所述读操作和/或写操作被设置为使得每次读取的数据均为成功写入的数据;

在工作页面写满以后格式化第二页面;以及

将第二页面确定为工作页面。

2.根据权利要求1所述的方法,还包括步骤:

对第一页面进行初始化。

3.根据权利要求1所述的方法,还包括步骤:

将第一页面的有效数据单元复制到第二页面。

4.根据权利要求1所述的方法,其中对工作页面进行写操作包括:

将待写入数据以数据单元形式写入到工作页面中,其中每个数据单元包括整数个字节并且其中在工作页面已包含数据单元的情况下将待写入数据的数据单元与已包含的数据单元合并;以及

每当向工作页面写入一个数据单元以后在所写入的数据单元之后写入该数据单元的校验值。

5.根据权利要求4所述的方法,其中所述校验值为2个字节的CRC校验值。

6.根据权利要求4所述的方法,其中对工作页面进行读操作包括:

在工作页面中确定最后一个有效数据单元,其中有效数据单元是其校验值与其数据匹配的数据单元;

确定待读取数据是否超过所述最后一个有效数据单元;以及

在待读取数据不超过所述最后一个有效数据单元读取所述待读取数据。

7.根据权利要求1所述的方法,其中第一页面和/或第二页面的大小为512字节。

8.根据权利要求1所述的方法,还包括步骤:

在第一页面和第二页面中维护表示该页面为工作页面的标记。

9.一种存储系统,包括:

闪存,其被配置为提供闪存的一个或多个页面作为第一页面并且提供闪存的一个或多个页面作为第二页面;以及

控制器,所述控制器被配置为执行下列动作:

将第一页面确定为工作页面;

对工作页面进行读操作和/或写操作,其中所述读操作和/或写操作被设置为使得每次读取的数据均为成功写入的数据;

在工作页面写满以后格式化第二页面;

将第二页面确定为工作页面;以及

将第一页面的有效数据单元复制到第二页面。

10.根据权利要求9所述的存储系统,其中控制器还被配置为执行下列动作:

将待写入数据以数据单元形式写入到工作页面中,其中每个数据单元包括整数个字节并且其中在工作页面已包含数据单元的情况下将待写入数据的数据单元与已包含的数据单元合并;以及

每当向工作页面写入一个数据单元以后在所写入的数据单元之后写入该数据单元的校验值。

11.根据权利要求9所述的存储系统,其中控制器还被配置为执行下列动作:

在工作页面中确定最后一个有效数据单元,其中有效数据单元是其校验值与其数据匹配的数据单元;

确定待读取数据是否超过所述最后一个有效数据单元;以及

在待读取数据不超过所述最后一个有效数据单元读取所述待读取数据。

12.根据权利要求9所述的存储系统,其中所述存储系统被用于微控制单元MCU。

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