[发明专利]一种解理制备石墨烯的方法在审
| 申请号： | 201910302249.0 | 申请日： | 2019-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN110040721A | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | 黄元 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | C01B32/184 | 分类号： | C01B32/184 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 郭广迅 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 石墨烯 石墨 胶带 基底 制备 解理 基底材料 等离子体清洗 氧等离子体 热处理 剥离胶带 超声清洗 基底表面 溶剂清洗 溶剂 贴附 清洗 | ||
【权利要求书】：
1.一种解理制备石墨烯的方法，包括以下步骤：
(1)在不使用溶剂清洗基底的表面的情况下，仅通过氧等离子体清洗基底的表面；
(2)用胶带机械解理石墨，将胶带上的石墨贴附到步骤(1)中制得的等离子体清洗的基底表面上，得到胶带-石墨-基底材料，于80～140℃下热处理1～30分钟；和
(3)将步骤(2)中制得的胶带-石墨-基底材料自然冷却，从基底上剥离胶带，从而制得石墨烯。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述基底为SiO2/Si基底、蓝宝石基底、玻璃基底或石英基底。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述步骤(1)中采用氧等离子体清洗基底表面在如下条件下进行：气流量为20～50sccm，功率为50～100W。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述步骤(2)中的热处理采用的温度为80～140℃。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述步骤(2)中的热处理采用的温度为100～120℃。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述步骤(2)中的热处理采用的温度为100～105℃。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述步骤(2)中的热处理进行2～30分钟。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述步骤(2)中的热处理进行2～10分钟。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述步骤(2)中的热处理进行2～3分钟。
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