[发明专利]一种电容器及其形成方法在审
申请号: | 201910302712.1 | 申请日: | 2019-04-16 |
公开(公告)号: | CN111834527A | 公开(公告)日: | 2020-10-27 |
发明(设计)人: | 胡连峰 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L49/02 | 分类号: | H01L49/02 |
代理公司: | 上海德禾翰通律师事务所 31319 | 代理人: | 侯莉 |
地址: | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电容器 及其 形成 方法 | ||
1.一种电容器的形成方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供第一金属层,在所述第一金属层上形成具有间隔的第一极板层图案;
在所述第一极板层图案的侧壁及所述第一极板层图案远离所述第一金属层的一侧,沿远离所述第一极板层图案的方向依次沉积介质层和第二极板层图案;
在所述第一金属层上的所述第二极板层图案的间隔中形成具有通孔的隔离层;
在所述通孔内沉积第二金属层,所述第二金属层分别与所述第二极板层图案和所述第一金属层接触。
2.根据权利要求1所述的电容器的形成方法,其特征在于,提供第一金属层,在所述第一金属层上形成具有间隔的第一极板层图案,包括:
提供衬底,在所述衬底上镀金属材料,形成所述第一金属层;
在所述第一金属层上沉积第一极板层;
在所述第一极板层上形成第一光刻胶图案,刻蚀所述第一极板层,形成所述第一极板层图案。
3.根据权利要求1所述的电容器的形成方法,其特征在于,在所述第一极板层图案的侧壁及所述第一极板层图案远离所述第一金属层的一侧,沿远离所述第一极板层图案的方向依次沉积介质层和第二极板层图案,包括:
在所述第一极板层图案的侧壁、所述第一极板层图案远离所述第一金属层的一侧及所述第一极板层图案的间隔对应的所述第一金属层上沉积所述介质层;
在所述介质层远离所述第一金属层的一侧沉积第二极板层;
在所述第一极板层图案远离所述第一金属层一侧的所述第二极板层上形成第二光刻胶图案;
刻蚀去除所述第二光刻胶图案之间的所述第一金属层上的所述介质层和所述第二极板层,形成所述第二极板层图案。
4.根据权利要求1所述的电容器的形成方法,其特征在于,在所述第一金属层上的所述第二极板层图案的间隔中形成具有通孔的隔离层,包括:
在所述第二极板层图案的侧壁、所述第二极板层图案远离所述第一金属层的一侧及所述第二极板层图案之间的所述第一金属层上沉积隔离材料;
在所述隔离材料上远离所述第一金属层的一侧形成第三光刻胶图案;
刻蚀所述隔离材料,形成具有通孔的所述隔离层。
5.根据权利要求4所述的电容器的形成方法,其特征在于,在所述第一金属层上的所述第二极板层图案的间隔中形成具有通孔的隔离层,还包括:
在至少一个所述第二极板层图案的间隔之间形成通孔,且在所述第二极板层图案远离所述第一金属层的一侧形成通孔。
6.根据权利要求5所述的电容器的形成方法,其特征在于,所述隔离层远离所述第一金属层的一侧高于所述第二极板层图案,所述隔离层与所述第二极板层图案和所述第二金属层接触,在远离所述第一金属层的一侧,所述第二金属层与所述隔离层平齐;且在所述第一金属层的延伸方向上,所述第二金属层的宽度小于或等于所述第二极板层图案的宽度。
7.根据权利要求1所述的电容器的形成方法,其特征在于,在所述第二极板层远离所述第一金属层的一侧沉积第二金属层后,还包括:
对第二金属层进行抛光。
8.根据权利要求1所述的电容器的形成方法,其特征在于,
所述第一极板层图案、所述第二极板层图案的材料为氮化金属;
所述介质层的材料为三元氧化物和二元氧化物中的至少一种;
所述隔离层的材料为氧化硅或氮化硅。
9.一种电容器,其特征在于,所述电容器基于权利要求1-8任意一项所述的电容器的形成方法制成,所述电容器包括所述第一金属层,所述第一金属层上具有间隔的所述第一极板层图案;
所述第一极板层图案的侧壁及所述第一极板层图案远离所述第一金属层的一侧,沿远离所述第一极板层图案的方向依次沉积有所述介质层和所述第二极板层图案;
所述第一金属层上的所述第二极板层图案的间隔中设置有具有通孔的所述隔离层;
所述通孔内沉积有所述第二金属层,所述第二金属层分别与所述第二极板层图案和所述第一金属层接触。
10.根据权利要求9所述的电容器,其特征在于,所述通孔包括在至少一个所述第二极板层图案的间隔之间形成的通孔,及在所述第二极板层图案远离所述第一金属层的一侧形成的通孔。
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