[发明专利]三维存储器曝光系统中套刻偏差的补偿装置及方法

权利要求书

1.一种三维存储器曝光系统中套刻偏差的补偿方法，该方法包括：

获取已曝光的晶圆的裸晶中不同区域的套刻偏差值，根据各区域及对应的套刻偏差值建立区域套刻偏差模型，所述区域套刻偏差模型对不同区域的套刻偏差值进行分段线性拟合，并获得拟合后的不同位置的套刻偏差值；所述不同区域包括存储阵列区和阶梯区；

根据所述区域套刻偏差模型补偿光罩图案；

根据经补偿的光罩图案对待曝光的晶圆的裸晶进行曝光。

2.如权利要求1所述的套刻偏差的补偿方法，其特征在于，获取已曝光的晶圆的裸晶中不同区域的套刻偏差值的步骤包括：对裸晶进行切片，使用扫描电镜观察切片后的裸晶获取套刻偏差值。

3.如权利要求1或2所述的套刻偏差的补偿方法，其特征在于，获取已曝光的晶圆的裸晶中不同区域的套刻偏差值，根据各区域及对应的套刻偏差值建立区域套刻偏差模型的步骤包括：沿一方向以预设步径获取各步点的套刻偏差值，对各步点的位置及其对应的套刻偏差值进行线性拟合。

4.如权利要求1所述的套刻偏差的补偿方法，其特征在于，获取已曝光的晶圆的裸晶中局部区域的套刻偏差值。

5.如权利要求4所述的套刻偏差的补偿方法，其特征在于，所述局部区域为三维存储器的存储阵列区。

6.如权利要求1所述的套刻偏差的补偿方法，其特征在于，获取已曝光的晶圆的裸晶中全部区域的套刻偏差值。

7.一种三维存储器曝光系统中套刻偏差的补偿装置，该装置包括：

建模单元，获取已曝光的晶圆的裸晶中不同区域的套刻偏差值，根据各区域及对应的套刻偏差值建立区域套刻偏差模型，所述区域套刻偏差模型对不同区域的套刻偏差值进行分段线性拟合，并获得拟合后的不同位置的套刻偏差值；所述不同区域包括存储阵列区和阶梯区；

补偿单元，根据所述区域套刻偏差模型补偿光罩图案；

曝光单元，根据经补偿的光罩图案对待曝光的晶圆的裸晶进行曝光。

8.如权利要求7所述的套刻偏差的补偿装置，其特征在于，所述建模单元包括数据获取模块，所述数据获取模块对裸晶进行切片，使用扫描电镜观察切片后的裸晶获取套刻偏差值。

9.如权利要求7或8所述的套刻偏差的补偿装置，其特征在于，所述建模单元包括拟合模块，所述拟合模块沿一方向以预设步径获取各步点的套刻偏差值，对各步点的位置及其对应的套刻偏差值进行线性拟合。

10.如权利要求7所述的套刻偏差的补偿装置，其特征在于，所述建模单元获取已曝光的晶圆的裸晶中局部区域的套刻偏差值。

11.如权利要求10所述的套刻偏差的补偿装置，其特征在于，所述建模单元所述局部区域为三维存储器的存储阵列区。

12.如权利要求7所述的套刻偏差的补偿装置，其特征在于，所述建模单元获取已曝光的晶圆的裸晶中全部区域的套刻偏差值。