[发明专利]一种开关电路及电容电阻混合型SAR ADC在审
申请号: | 201910302768.7 | 申请日: | 2019-04-15 |
公开(公告)号: | CN110086465A | 公开(公告)日: | 2019-08-02 |
发明(设计)人: | 陈文韬;熊正东;陈国安;陈旺;唐振中;李兴祥;刘惠民 | 申请(专利权)人: | 珠海泰芯半导体有限公司 |
主分类号: | H03M1/08 | 分类号: | H03M1/08;H03M1/38 |
代理公司: | 广东朗乾律师事务所 44291 | 代理人: | 闫有幸 |
地址: | 519000 广东省珠海市香洲区高*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 漏极 电连接 源极 开关电路 源极接地 电源 电容电阻 开关管 电阻 电源电连接 开关管导通 源极电压 阻抗 | ||
1.一种开关电路,包括源极与电源电连接的开关管,其特征在于:还包括偏置电流产生电路以及电流电压产生电路;所述偏置电流产生电路包括电阻、第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管以及第二NMOS管;所述电流电压转换电路包括第三PMOS管以及第三NMOS管;
所述电阻的一端接电源,另一端与所述第一PMOS管的源极电连接;所述第一PMOS管的漏极与所述第一NMOS管的漏极、第一NMOS管的栅极、第二NMOS管的栅极以及第三NMOS管的栅极电连接;所述第一PMOS管的栅极与所述第二PMOS管的栅极、第二PMOS管的漏极以及第二NMOS管的漏极电连接;所述第一NMOS管的源极接地;所述第二PMOS管的源极接电源;所述第二NMOS管的源极接地;所述第三NMOS管的源极接地,漏极与所述第三PMOS管的漏极电连接;所述第三PMOS管的源极接电源,栅极与所述第三PMOS管的漏极、所述开关管的栅极电连接。
2.一种电容电阻混合型SAR ADC,其特征在于:包括电阻串结构、电容阵列、SAR逻辑控制、比较器以及权利要求1所述的开关电路;所述开关管的漏极与所述电阻串结构的输入端电连接;所述电阻串结构的输出端与所述电容阵列的输入端连接;所述比较器的一个输入端与所述电容阵列的输出端电连接,并通过开关与参考电压电连接,所述比较器的另一个输入端接参考电压,所述比较器的输出端与所述SAR逻辑控制的输入端连接;所述SAR逻辑控制的输出端输出转换后的数据;所述SAR逻辑控制的两个控制信号输出端分别输出控制信号给电阻串结构以及电容阵列。
3.根据权利要求2所述的电容电阻混合型SAR ADC,其特征在于:所述电阻串结构包括K位电阻型DAC电路,K为正整数;所述K位电阻型DAC电路包括2K个等阻值串联电阻;所述2K个等阻值串联电阻的一端接地,另一端与所述开关管的漏极连接。
4.根据权利要求3所述的电容电阻混合型SAR ADC,其特征在于:所述K位电阻型DAC电路的两个输出端分别输出高电平和低电平;所述高电平比所述低电平多一个串联电阻的电压;所述SAR逻辑控制输出控制信号控制所述K位电阻型DAC电路输出的所述高电平与低电平的数值。
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