[发明专利]一种显示装置及其纹路识别方法有效
申请号: | 201910302990.7 | 申请日: | 2019-04-16 |
公开(公告)号: | CN110164922B | 公开(公告)日: | 2022-05-20 |
发明(设计)人: | 姚丽清;李宗祥;林丽锋 | 申请(专利权)人: | 福州京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G06V40/13 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 350300 福建省*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示装置 及其 纹路 识别 方法 | ||
本申请公开了一种显示装置及其纹路识别方法,用以在显示区进行纹路识别。本申请实施例提供的一种显示装置,所述显示装置包括:纹路识别模组,以及位于所述纹路识别模组之上的显示面板;所述显示面板包括:位于所述显示面板的显示区的多个电致发光单元,以及位于所述电致发光单元靠近所述纹路识别模组一侧的光选择器;所述纹路识别模组包括:在对应所述显示区设置的多个发光部件以及多个光电转换部件;所述发光部件发出光的波段与所述电致发光单元发出光的波段互不交叠;所述光选择器被配置为:透过所述发光部件发出的光,且反射所述电致发光单元发出的光。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示装置及其纹路识别方法。
背景技术
目前市场上的移动显示产品都具有指纹识别功能,目前常用的指纹识别技术包括光学指纹传感器、半导体电容传感器、射频传感器、超声波传感器等。现有技术中光学指纹传感器主要设置在显示产品的非显示区,光学指纹传感器主要包含光源、三棱镜以及电耦合器件(Charge-coupled Device,CCD)或者互补金属氧化物半导体(Complementary MetalOxide Semiconductor,CMOS)。但由于全面屏技术的发展,需要实现屏下指纹识别,设置在非显示区的光学指纹传感器无法直接设置在显示区。对于全面屏,现有技术屏下指纹识别方案利用有机发光二极管器件自身的光作为指纹识别光源,并且感光器件是通过子像素之间的间隙接收到上方手指反射后的光,这样感光器件接收的反射的光量很小。综上,现有技术全面屏指纹识别方案感光器件接受的反射光量小,指纹识别可靠性差。
发明内容
本申请实施例提供了一种显示装置及其纹路识别方法,用以在显示区进行纹路识别。
本申请实施例提供的一种显示装置,所述显示装置包括:纹路识别模组,以及位于所述纹路识别模组之上的显示面板;所述显示面板包括:位于所述显示面板的显示区的多个电致发光单元,以及位于所述电致发光单元靠近所述纹路识别模组一侧的光选择器;所述纹路识别模组包括:在对应所述显示区设置的多个发光部件以及多个光电转换部件;所述发光部件发出光的波段与所述电致发光单元发出光的波段互不交叠;所述光选择器被配置为:透过所述发光部件发出的光,且反射所述电致发光单元发出的光。
本申请实施例提供的显示装置,在对应显示面板的显示区设置纹路识别模组,并且在显示面板设置有透过所述发光部件发出的光且反射所述电致发光单元发出的光的光选择器,这样,发光部件发出的光通过光选择器到达纹路触摸区域会发生反射,反射后的光同样可以通过光选择其到达光电转换部件,从而可以在显示区进行纹路识别。由于光选择器反射电致发光单元发出的光,从而电致发光单元发出的光不会对纹路识别产生影响,还可以提高电致发光单元的光利用率。并且,用于纹路识别的光源与用于显示的光源独立设置,光电转换部件设置在发光区也不会对显示造成影响,光电转换部件面积大,从而可以提高光电转换部件的光接收量,提高光电流,进而提高纹路识别的可靠性。
可选地,所述显示面板还包括衬底基板,所述光选择器位于所述衬底基板与所述电致发光单元之间。
可选地,所述电致发光单元包括:薄膜晶体管以及位于所述薄膜晶体管之上的电致发光器件;所述光选择器包括:与所述薄膜晶体管一一对应的遮光层,以及与所述电致发光器件一一对应的透光选择层。
本申请实施例提供的显示装置,由于包括与薄膜晶体管一一对应的遮光层,这样遮光层可以遮挡纹路识别模组中发光部件发出的光,从而可以避免纹路识别模组中的发光部件发出的光照射到薄膜晶体管,可以保证薄膜晶体管的工作稳定性和可靠性。
可选地,所述透光选择层包括光子晶体。
可选地,所述光子晶体包括多个周期排列的介质棒阵列。
可选地,所述光子晶体包括周期排列的介质孔。
可选地,所述发光部件出射红外光,所述电致发光单元包括:红光电致发光单元,绿光电致发光单元,以及蓝光电致发光单元。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的