[发明专利]储存装置的容量变更方法

说明书

本发明涉及一种储存装置的容量变更方法，其主要目的为可依需求提高外接式储存产品容量，而不需一开始付出较高的费用；初始，通过资料存取接口只能存取一标准容量区域，可以由授权码输入一专属解锁软件，经由所述资料存取接口与一授权模块电性连接，确认所述授权码允许存取一扩充容量区域，通过所述资料存取接口能存取所述标准容量区域与所述扩充容量区。

技术领域

本发明涉及储存装置的容量变更方法，特别是指一种通过授权码来允许存取扩充容量区域，另可搭配因特网与云端储存空间搭配，增进储存容量的可变化性。

背景技术

因应本地端储存容量不足，较早期的时候以增加内接式储存装置，又或是外接式储存装置来暂时处理此类状态。

后来云端硬盘的横空出世，也面临网络速度过慢的问题，再到了近期随着高速因特网普及，云端应用也趋于普遍，企业应用的云端化，访问速度仍有其不足。

关于储存数据的文献，多个专利如下：

US 14/874,841揭示一种可变逻辑内存容量的内存装置及系统的若干实施例。在一项实施例中，一内存装置可包含共同界定一物理内存容量的多个内存区域及可操作地耦合至多个内存区域的一控制器。该控制器经组态以将一第一逻辑内存容量广告至一主机装置，其中第一逻辑内存容量小于该物理内存容量，判定各内存区域的至少一个处在或接近寿命终止，且回应于该判定，(1)淘汰各内存区域的至少一个且(2)将该主机装置的一逻辑内存容量缩减至小于第一逻辑内存容量的一第二逻辑内存容量。

JP 2011-108899揭示一种储存装置包括：设置在基板上的驱动电路；以及设置在驱动电路上并被驱动电路驱动的多个储存单元数组，其中多个储存单元数组的每一个具有多个储存单元，多个储存单元的每一个具有第一晶体管，第一晶体管具有与氧化物半导体层重叠的第一闸极电极；以及电容元件，电容元件具有源极电极或汲极电极、第一闸极绝缘层以及导电层，并且，多个储存单元数组配置为彼此重叠。由此，在储存装置中，在确保数据的保持期间的同时，提高单位面积的储存容量。

TW I546729揭示一种数据储存装置及其储存方法，其中此数据储存装置包含一实体储存区块、具有一唯一标识符的一认证单元以及一控制单元。控制单元可电性连接此实体储存区块且接收此唯一标识符以产生一识别指令，控制单元并可根据此识别指令以产生一逻辑区块起始值以及一可使用容量，并根据此逻辑区块起始值及此可使用容量以决定在实体储存区块中的一实际存取区块，逻辑区块起始值为一正整数，且实际存取区块的大小小于等于实体储存区块的大小。

不过，以上技术依旧缺乏对应一般数据的加值处理，又未改善容量，依然有不足的可能。

发明内容

针对上述问题，本发明的主要目的在于提供一种储存装置的容量变更方法，施以授权码由授权模块检验来管制可储存空间。

因此，本发明的主要目的在于提供一种储存装置的容量变更方法，可通过支付费用给予相对应的储存空间。

本发明的再一目的在于提供一种储存装置的容量变更方法，后续可依储存空间需求增加购买所需容量，提供灵活的使用模式。

本发明的再一目的在于提供一种储存装置的容量变更方法，贩卖时可依商业规划调整产品容量，降低销售成本。

本发明的再一目的在于提供一种储存装置的容量变更方法，可搭配硬件压缩提高保存数据的储存性。

本发明的再一目的在于提供一种储存装置的容量变更方法，如配合因特网可与云端硬盘绑定，得以存取几乎可扩充无上限的储存容量。

本发明的再一目的在于提供一种储存装置的容量变更方法，该扩充容量区域可为云端空间暂存区，依本地端可以给予的快速存储器验，搭上云端的无限扩充性，可有效减少局限性。