[发明专利]一种高开关电容比RF MEMS电容式开关

说明书

本发明涉及一种高开关电容比RF MEMS电容式开关，包括有衬底，衬底上分布有微波传输线，微波传输线上依次固定有介质层和电容上极板，微波传输线两侧分布有地结构，地结构开设有电极容纳槽，电极容纳槽内设置有开关驱动电极，且开关驱动电极底部固定于衬底上，开关驱动电极上方镜像悬挂有金属膜桥，金属膜桥同时连接地结构，地结构上设有开口，开口内设有引线，开口上连接有金属引线盖。能够让驱动电极远离微波传输线，对信号传输的影响很小，插入损耗更低。可以实现“OFF”、“ON”状态，对地电容值可分别调节。金属膜桥架设在开口上方，保证共面波导完整性，从而减小插入损耗。整体构造简单，易于制造。

技术领域

本发明涉及一种电容开关，尤其涉及一种高“开”“关”电容比RF MEMS电容式开关。

背景技术

射频开关作为通信器件的基本结构单元，在通信系统中有着举足轻重的地位。RFMEMS开关是利用MEMS技术制作的一种射频开关，通过微机械结构的运动，来达到控制信号通与断的目的，且相较传统射频半导体开关具有插损低，隔离度高以及使用寿命长的优点。

目前电容式RF MEMS开关的“OFF”和“ON”状态对地电容值只能同步联动，所以可调节性差，这为进一步提升其电磁学性能带来很大困难。另外目前的电容式RF MEMS开关驱动电极或是位于信号线与地之间或是以信号线为驱动电极，这都为开关引入了相当的插入损耗。

有鉴于上述的缺陷，本设计人，积极加以研究创新，以期创设一种高“开”“关”电容比RF MEMS电容式开关，使其更具有产业上的利用价值。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明的目的是提供一种高“开”“关”电容比RF MEMS 电容式开关。

本发明的一种高“开”“关”电容比RF MEMS电容式开关，包括有衬底，其中：所述衬底上分布有微波传输线，所述微波传输线上依次固定有介质层和电容上极板，所述微波传输线两侧分布有地结构，所述地结构开设有电极容纳槽，所述电极容纳槽内设置有开关驱动电极，且开关驱动电极底部固定于衬底上，所述开关驱动电极上方镜像悬挂有金属膜桥，所述金属膜桥同时连接地结构，所述地结构上设有开口，所述开口内设有引线，所述开口上连接有金属引线盖。

进一步地，上述的一种高“开”“关”电容比RF MEMS电容式开关，其中，所述衬底为高阻硅衬底；或是为，玻璃衬底；或是为，陶瓷衬底；或是为，砷化镓衬底。

更进一步地，上述的一种高“开”“关”电容比RF MEMS电容式开关，其中，所述金属膜桥为T字形构造，所述T字形构造的横向端点与地结构相连，所述T 字形构造的底部端点与电容上极板形成接触状态或是分离状态。

更进一步地，上述的一种高“开”“关”电容比RF MEMS电容式开关，其中，所述金属膜桥为两镜像分布构成的H字形构造，所述H字形构造的纵向端点与地结构相连，所述H字形构造的中部端点与电容上极板形成接触状态或是分离状态。

更进一步地，上述的一种高“开”“关”电容比RF MEMS电容式开关，其中，所述电容上极板与介质层和微波传输线构成对地耦合电容，所述金属膜桥悬挂在开关驱动电极上方，对称分布于电容上极板的两侧，所述金属膜桥填补地结构的开口。

更进一步地，上述的一种高“开”“关”电容比RF MEMS电容式开关，其中，所述微波传输线为共面波导，或是为微带线。

再进一步地，上述的一种高“开”“关”电容比RF MEMS电容式开关，其中，所述金属膜桥与地结构之间连接有金属锚点。

借由上述方案，本发明至少具有以下优点：

1、能够让驱动电极远离微波传输线，对信号传输的影响很小，插入损耗更低。

2、可以实现“OFF”、“ON”状态，对地电容值可分别调节。