[发明专利]一种倒装LED芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种倒装LED芯片，其特征在于，包括衬底、设于衬底上的外延层、设于外延层上的透明导电层、设于透明导电层上的可变化透明曲面层、设于可变化透明曲面层上的反射层、设于反射层上的绝缘层、以及第一电极和第二电极；

所述可变化透明曲面层由下述制备方法制得，所述制备方法包括：

对透明导电层进行预先处理；

在预先处理后的透明导电层上形成透明层，所述透明层的表面为平面；

在所述透明层上涂覆光刻胶；

对所述光刻胶以及透明层进行刻蚀，使裸露出来的透明层形成变化曲面；

去除光刻胶，形成可变化透明曲面层；

所述可变化透明曲面层配合绝缘层和反射层，以调整光散射的角度。

2.如权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述可变化透明曲面层与反射层的接触面为凸形曲面或凹形曲面,

所述可变化透明曲面层由透光材料制成。

3.如权利要求2所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述可变化透明曲面层的材料为SiO₂、SiN_x、TiO₂、Ti₂O₅、Al₂O₃、ITO、AZO、ZnO、MgF₂和类钻石膜DLC中的一种或几种。

4.如权利要求2所述的倒装LED芯片，其特征在于，当所述可变化透明曲面层与反射层的接触面为凸形曲面时，

可变化透明曲面层的曲率半径为r，可变化透明曲面层的材料的折射率为n_L，可变化透明曲面层的焦距为f，其中，r＝(n_L-1)f。

5.如权利要求4所述的倒装LED芯片，其特征在于，具有凸形曲面的可变化透明曲面层的焦距位于衬底。

6.如权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，当所述可变化透明曲面层与反射层的接触面为凹形曲面时，

所述可变化透明曲面层和所述透明导电层之间还设有隔离绝缘层，以降低透明导电层和可变化透明曲面层之间的片电阻。

7.如权利要求6所述的倒装LED芯片，其特征在于，当所述可变化透明曲面层与反射层的接触面为凹形曲面时，所述预先处理包括：

在透明导电层上形成一层隔离绝缘层；

采用化学腐蚀加掩膜的方法，对所述隔离绝缘层进行蚀刻，在隔离绝缘层上形成凹缺部。

8.如权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述可变化透明曲面层形成一个变化曲面或多个变化曲面。

9.如权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述可变化透明曲面层包括依次设于透明导电层上的ITO层和SiO₂层，其中，ITO层的折射率＞SiO₂层的折射率；

或者，所述可变化透明曲面层包括依次设于透明导电层上的ITO层、SiO₂层和MgF₂，其中，ITO层的折射率＞SiO₂层的折射率＞MgF₂层的折射率。

10.如权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述外延层和透明导电层之间设有接触层，所述接触层由氧化镍或氧化铟锡制成。