[发明专利]一种横向肖特基栅双极晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种横向肖特基栅双极晶体管，其特征在于，包括：

P型衬底(801)；

在P型衬底(801)上表面形成的N型外延层(802)；

在N型外延层(802)上部的右端区域形成的N型缓冲区(106)以及在N型缓冲区(106)上部形成的P型漏区(105)；

在N型外延层(802)上部的左端区域形成的N型源区(104)；

源极(101)，位于N型源区(104)的上表面；

漏极(102)，位于P型漏区(105)的上表面；

在N型外延层(802)上部的中央区域形成栅槽，栅极(103)位于栅槽底部，栅长为0.5～1微米，栅极(103)与源极(101)、漏极(102)的距离分别为0.2～0.5微米和0.6～0.9微米；所述栅槽的深度为1～3微米，根据源漏饱和电流确定；源漏极金属与半导体材料为欧姆接触，栅极金属与半导体材料为肖特基接触。

2.根据权利要求1所述的横向肖特基栅双极晶体管，其特征在于：N型外延层(802)的掺杂浓度为2×10¹⁷cm^-3。

3.根据权利要求1所述的横向肖特基栅双极晶体管，其特征在于：N型外延层(802)的掺杂浓度比P型衬底(801)的掺杂浓度高1～2个数量级。

4.根据权利要求1所述的横向肖特基栅双极晶体管，其特征在于：N型缓冲区(106)及P型漏区(105)是在N型外延层(802)的上部通过离子注入和双扩散技术形成的，N型源区(104)则通过离子注入技术形成。

5.根据权利要求1所述的横向肖特基栅双极晶体管，其特征在于：形成栅槽所使用的工艺为湿法腐蚀。

6.根据权利要求1所述的横向肖特基栅双极晶体管，其特征在于：所述P型衬底(801)和N型外延层(802)为宽带隙半导体材料。

7.一种制作权利要求1所述的横向肖特基栅双极晶体管的方法，包括以下步骤：

1)准备P型宽带隙半导体材料作为P型衬底(801)；

2)在P型衬底(801)的上表面外延生长形成N型外延层(802)；

3)在N型外延层(802)的上部右侧区域通过离子注入工艺形成N型缓冲区(106)，结深最终依赖于推阱的温度和时间；

4)通过离子注入和双扩散技术进一步形成重掺杂的P型漏区(105)，注入完成后进行快速退火处理；

5)在N型外延层(802)的上部左侧区域通过离子注入工艺形成重掺杂的N型源区(104)，注入完成后进行快速退火处理；

6)分别在N型源区(104)和P型漏区(105)的上表面通过金属电子束蒸发工艺形成欧姆接触的源极(101)和漏极(102)；

7)在N型外延层(802)的上部通过湿法腐蚀工艺形成所需深度和宽度的栅槽；

8)在栅槽底部区域通过金属电子束蒸发工艺形成肖特基接触的栅极(103)。