[发明专利]具有掺杂的子鳍片区域的非平面半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种集成电路结构，包括：

NMOS器件，包括第一鳍片，所述第一鳍片包括硅，所述第一鳍片具有下鳍片部分和上鳍片部分，所述下鳍片部分具有第一侧和第二侧；

PMOS器件，包括第二鳍片，所述第二鳍片包括硅，所述第二鳍片具有下鳍片部分和上鳍片部分，所述下鳍片部分具有第一侧和第二侧，其中所述第二鳍片的下鳍片部分的第一侧面对所述第一鳍片的下鳍片部分的第二侧；

第一电介质部分，包括硅和氧，所述第一电介质部分直接位于所述第一鳍片的下鳍片部分的第二侧上；

第二电介质部分，包括硅和氧，所述第二电介质部分直接位于所述第二鳍片的下鳍片部分的第一侧上；

绝缘层，包括氮，所述绝缘层位于所述第一电介质部分上方并且位于所述第二电介质部分上方，并且所述绝缘层在所述第一电介质部分和所述第二电介质部分上方是连续的；

电介质填充材料，直接位于所述绝缘层上方；

第一栅电极，在所述第一鳍片的上鳍片部分的侧壁之上并且侧向地邻近所述第一鳍片的上鳍片部分的侧壁，所述第一栅电极在所述电介质填充材料的第一部分之上；以及

第二栅电极，在所述第二鳍片的上鳍片部分的侧壁之上并且侧向地邻近所述第二鳍片的上鳍片部分的侧壁，所述第二栅电极在所述电介质填充材料的第二部分之上。

2.如权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，所述第一电介质部分包括硼，并且所述第二电介质部分包括磷。

3.如权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，所述第一电介质部分包括硼硅酸盐玻璃(BSG)，并且所述第二电介质部分包括磷硅酸盐玻璃(PSG)。

4.如权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，所述第一电介质部分独立于所述第二电介质部分、但与所述第二电介质部分相接触。

5.如权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，所述绝缘层直接位于所述第一电介质部分上，并且所述绝缘层并非直接位于所述第二电介质部分上。

6.如权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，从所述第一鳍片的下部起的所述电介质填充材料比从所述第二鳍片的下部起的所述电介质填充材料更远。

7.一种计算设备，包括：

板；以及

组件，耦合至所述板，所述组件包括集成电路结构，所述集成电路结构包括：

NMOS器件，包括第一鳍片，所述第一鳍片包括硅，所述第一鳍片具有下鳍片部分和上鳍片部分，所述下鳍片部分具有第一侧和第二侧；

PMOS器件，包括第二鳍片，所述第二鳍片包括硅，所述第二鳍片具有下鳍片部分和上鳍片部分，所述下鳍片部分具有第一侧和第二侧，其中所述第二鳍片的下鳍片部分的第一侧面对所述第一鳍片的下鳍片部分的第二侧；

第一电介质部分，包括硅和氧，所述第一电介质部分直接位于所述第一鳍片的下鳍片部分的第二侧上；

第二电介质部分，包括硅和氧，所述第二电介质部分直接位于所述第二鳍片的下鳍片部分的第一侧上；

绝缘层，包括氮，所述绝缘层位于所述第一电介质部分上方并且位于所述第二电介质部分上方，并且所述绝缘层在所述第一电介质部分和所述第二电介质部分上方是连续的；

电介质填充材料，直接位于所述绝缘层上方；

第一栅电极，在所述第一鳍片的上鳍片部分的侧壁之上并且侧向地邻近所述第一鳍片的上鳍片部分的侧壁，所述第一栅电极在所述电介质填充材料的第一部分之上；以及

第二栅电极，在所述第二鳍片的上鳍片部分的侧壁之上并且侧向地邻近所述第二鳍片的上鳍片部分的侧壁，所述第二栅电极在所述电介质填充材料的第二部分之上。

8.如权利要求7所述的计算设备，其特征在于，进一步包括：

存储器，耦合至所述板。

9.如权利要求7所述的计算设备，其特征在于，进一步包括：

通信芯片，耦合至所述板。

10.如权利要求7所述的计算设备，其特征在于，进一步包括：

耦合至所述板的照相机。