[发明专利]一种基于I-line和EBL制作T形栅的光刻工艺、T形栅和晶体管

权利要求书

1.一种基于I-line和EBL制作T形栅的光刻工艺，其特征在于：包括以下步骤：

在半导体基板上进行涂布E-beam光刻胶进行烘烤、EBL光刻、显影、清洗形成下层根部腔体；

对下层根部腔体光刻胶层进行烘烤热变形，形成具有圆弧边角的下层根部腔体；

使用O₂清除下层根部腔体的底部残渣；

在下层根部腔体和半导体基板表面涂覆隔离试剂形成隔离层；

在下层根部腔体表面进行涂布上层光刻胶并进行烘烤、I-line光刻机曝光、显影、清洗形成上层头部腔体；

使用O₂清除下层根部腔体的底部残渣和半导体基板上方的隔离层；

用酸刻蚀掉下层根部腔体下的半导体基板，以在半导体基板表面形成T形栅的下层根部图形；

沉积栅极金属层；

用试剂去除半导体基板表面所有的光胶得到T形栅。

2.根据权利要求1所述的一种基于I-line和EBL制作T形栅的光刻工艺，其特征在于：所述的隔离试剂为安智电子SH114。

3.根据权利要求1所述的一种基于I-line和EBL制作T形栅的光刻工艺，其特征在于：在形成具有圆弧边角的下层根部腔体时，比预计形成的T形栅窄；在使用O₂清除下层根部腔体的底部残渣时，控制清除时间，清除掉一部分下层根部腔体。

4.根据权利要求3所述的一种基于I-line和EBL制作T形栅的光刻工艺，其特征在于：所述得到T形栅的下层根部的特征尺寸为0.15um，在形成具有圆弧边角的下层根部腔体时，底部的相对尺寸为0.13um；在使用O₂清除下层根部腔体的底部残渣时，控制清除时间，清除掉一部分下层根部腔体，使得底部的相对尺寸达到0.15um。

5.根据权利要求3或4所述的一种基于I-line和EBL制作T形栅的光刻工艺，其特征在于：所述工艺还包括：

获取在特定参数下的不同清除时间，下层根部腔体的拓宽距离；

根据实际所需拓宽距离，得到窄距下层根部腔体至宽距下层根部腔体在特定参数下的清除时间。

6.根据权利要求5所述的一种基于I-line和EBL制作T形栅的光刻工艺，其特征在于：所述获取在特定参数下的不同清除时间，下层根部腔体的拓宽距离，还包括：

根据多个拓宽结果，建立线性模型，所述线性模型用于在输入特定参数和实际所需拓宽距离时输出清除时间。

7.根据权利要求1所述的一种基于I-line和EBL制作T形栅的光刻工艺，其特征在于：所述沉积栅极金属层使用真空蒸镀法实现。

8.根据权利要求1所述的一种基于I-line和EBL制作T形栅的光刻工艺，其特征在于：所述用试剂去除半导体基板表面所有的光胶得到T形栅中的试剂为NMP。

9.一种T形栅，其特征在于：采用如权利要求1～8中任意一项所述光刻工艺制造。

10.一种高电子迁移率晶体管，其特征在于：包括如权利要求9所述的T形栅。