[发明专利]一种二硫化钼/镓铟氮或铝镓砷多结异质太阳能电池及其制备方法有效
| 申请号： | 201910305472.0 | 申请日： | 2019-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN110137295B | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 林时胜;孙利杰;沈闰江;周大勇;陆阳华 | 申请（专利权）人： | 浙江大学;上海空间电源研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0725 | 分类号： | H01L31/0725;H01L31/0352;H01L31/0336;H01L31/18 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 万尾甜;韩介梅 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 二硫化钼 镓铟氮 铝镓砷多结异质 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
1.一种二硫化钼/镓铟氮或铝镓砷多结异质太阳能电池，其特征在于：自底而上依次是背电极层（1）、多结半导体衬底层（2）、二硫化钼/镓铟氮或铝镓砷层（3）、量子点层（5），在二硫化钼层/镓铟氮或铝镓砷层（3）上还设置有正面电极（4）；所述的多结半导体衬底层（2）包括多结电池，并在多结电池顶部设置有隧穿层，二硫化钼/镓铟氮或铝镓砷层（3）中镓铟氮或铝镓砷设于上述隧穿层上并与隧穿层直接接触，量子点层设置于二硫化钼上且二者直接接触；所述的二硫化钼的厚度为含1到10层原子；所述的多结电池为由Ge单结、GaAs单结、和GaInP单结自下而上构成的三结电池，在相邻两单结之间均设置有隧穿层，所述量子点尺寸为5纳米至200纳米。
2.根据权利要求1所述的二硫化钼/镓铟氮或铝镓砷多结异质太阳能电池，其特征在于，所述的隧穿层的材料选择重掺杂的下述材料之一：AlGaAs、GaInP、GaAs、InGaAs。
3.根据权利要求1所述的二硫化钼/镓铟氮或铝镓砷多结异质太阳能电池，其特征在于，所述的量子点层（5）为金、银、铝、或镍量子点。
4.根据权利要求1所述的二硫化钼/镓铟氮或铝镓砷多结异质太阳能电池，其特征在于，所述的背电极（1）是金、银、钯、钛、铬、镍、ITO、FTO、AZO的一种电极或者几种的复合电极。
5.根据权利要求1所述的二硫化钼/镓铟氮或铝镓砷多结异质太阳能电池，其特征在于，所述的正面电极（4）是金、钯、银、钛、铜、铂、铬、镍、ITO、FTO、AZO的一种电极或者几种的复合电极。
6.制备如权利要求1-5任一项所述的二硫化钼/镓铟氮或铝镓砷多结异质太阳能电池的方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：
1）在洁净的多结半导体衬底层的一面制作背面电极；
2）在多结半导体衬底层另一面上利用化学气相沉积法生长镓铟氮或者铝镓砷层；
3）将二硫化钼转移至步骤2）所得的镓铟氮或铝镓砷层上，转移方法为：在生长于原始衬底上的二硫化钼表面作柔性高分子材料支撑层，将二硫化钼和上述支撑层一起从原始衬底上转移至镓铟氮或铝镓砷上，然后去除支撑层，使二硫化钼覆盖在镓铟氮或铝镓砷上；
4）在二硫化钼上作正面电极并旋涂量子点。
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