[发明专利]蚀刻液组合物及利用其的蚀刻方法以及制造显示装置或含IGZO半导体的方法

权利要求书

1.一种蚀刻液组合物，用于蚀刻含铜或铜合金层及含钼或钼合金层的多层薄膜，包括：

过氧化氢；

有机酸或其盐类；

具有式(I)的叔氨基醇化合物

R₁、R₂为各自独立的C1～C5直链或支链烷基，R₃为C1～C5直链或支链亚烷基；

含氮杂环化合物；以及

水；

其中，该蚀刻液组合物的pH值介于3～6之间，且不含氟离子。

2.如权利要求1所述的蚀刻液组合物，该具有式(I)的叔氨基醇化合物中的R₁及R₂相同。

3.如权利要求1所述的蚀刻液组合物，该具有式(I)的叔氨基醇化合物包括二甲基乙醇胺、二乙氨基乙醇、二甲基丙醇胺、N,N-二甲基异丙醇胺、3-二乙氨基-1-丙醇、3-(二甲基氨基)-1-丁醇、1-二丙基氨基-2-丙醇、1-二甲氨基-2-甲基-2-丙醇或2-(N,N-二甲基胺基)-2-甲基-1-丙醇其中之一或其组合。

4.如权利要求1所述的蚀刻液组合物，该含氮杂环化合物包括经取代或未经取代的二唑、三唑或四唑其中之一或其组合。

5.如权利要求1所述的蚀刻液组合物，该有机酸包括甲酸、醋酸、丙酸、丁酸、戊酸、丙二酸、丁二酸、戊二酸、己二酸、苯甲酸、脱氢乙酸、反丁烯二酸、马来酸、甘油酸、乳酸、乙醇酸、苹果酸、叔戊酸、丙酮酸、酒石酸、柠檬酸、葡萄糖酸、N-(2-羧乙基)亚氨基二乙酸、N-羟乙基亚氨二乙酸、二乙烯三胺五醋酸、亚氨基二乙酸、赖氨酸、丝氨酸、精氨酸、组氨酸其中之一或其组合。

6.如权利要求1所述的蚀刻液组合物，还包括过氧化氢稳定剂。

7.如权利要求1所述的蚀刻液组合物，还包括磷酸或其盐类。

8.如权利要求1所述的蚀刻液组合物，还包含pH值调整添加剂，为将pH调整到3至6。

9.如权利要求1至8中任一项所述的蚀刻液组合物，基于该蚀刻液组成为100重量百分比，该过氧化氢的含量介于3-12重量百分比，该有机酸或其盐类的含量介于2-20重量百分比，该具有式(I)的叔氨基醇化合物的含量介于2-20重量百分比，该含氮杂环化合物的含量介于0.005-0.3重量百分比。

10.一种蚀刻含铜或铜合金层及含钼或钼合金的多层薄膜的方法，其步骤包括：

提供含铜或铜合金层及含钼或钼合金层的多层薄膜；以及

利用如权利要求1至8项中任一项所述的蚀刻液组合物蚀刻该含铜或铜合金层及含钼或含钼合金层的多层薄膜。

11.一种显示装置或含IGZO半导体的制造方法，其步骤包括：

提供基板；

形成含铜或铜合金层及含钼或钼合金层的多层薄膜于该基板上；以及

利用如权利要求1至8项中任一项所述的蚀刻液组合物蚀刻该含铜或铜合金层及含钼或含钼合金层的多层薄膜。