[发明专利]钙钛矿器件、钙钛矿薄膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201910306236.0 申请日: 2019-04-16
公开(公告)号: CN110010771B 公开(公告)日: 2023-05-12
发明(设计)人: 朱桂;安扬;葛文奇;袁晨辰;陈伟中;田清勇;范斌 申请(专利权)人: 昆山协鑫光电材料有限公司
主分类号: H10K71/12 分类号: H10K71/12;H10K71/15;H10K30/10
代理公司: 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 代理人: 赵世发;王锋
地址: 215300 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 钙钛矿 器件 薄膜 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种钙钛矿薄膜的制备方法,它基于溶剂络合分段退火抽气工艺实施的,其特征在于,所述的制备方法包括:

1)将配置形成的钙钛矿溶液涂覆在基底上形成液膜;

2)将所述液膜置于抽气装置中,在室温下采用抽气方式对所述液膜进行干燥处理,以除去其中的部分溶剂,干燥除去的部分溶剂为溶剂总量的60-80wt%,从而获得钙钛矿与溶剂络合形成的中间相薄膜;

3)先将所述中间相薄膜于60-80℃条件下退火处理1-5min,之后于100-130℃条件下退火处理5-15min,进而形成钙钛矿薄膜。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述干燥处理的时间为5-30s。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述钙钛矿溶液中采用的溶剂包括二甲基亚砜、N,N-二甲基甲酰胺中的任意一种或两种的混合。

4.由权利要求1-3中任一项所述的方法制备的钙钛矿薄膜。

5.根据权利要求4所述的钙钛矿薄膜,其特征在于:所述钙钛矿薄膜的平均粗糙度在13.2nm以下。

6.一种钙钛矿器件,包括钙钛矿层,其特征在于:所述钙钛矿层包括权利要求4-5中任一项所述的钙钛矿薄膜。

7.根据权利要求6所述的钙钛矿器件,其特征在于:所述钙钛矿器件为正向结构或反置结构。

8.根据权利要求7所述的钙钛矿器件,其特征在于:所述正向结构的钙钛矿器件包括依次设置的导电基底、电子传输层、钙钛矿层、空穴传输层和金属电极;所述反置结构的钙钛矿器件包括依次设置的导电基底、空穴传输层、钙钛矿层、电子传输层和金属电极。

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