[发明专利]钙钛矿器件、钙钛矿薄膜及其制备方法有效
申请号: | 201910306236.0 | 申请日: | 2019-04-16 |
公开(公告)号: | CN110010771B | 公开(公告)日: | 2023-05-12 |
发明(设计)人: | 朱桂;安扬;葛文奇;袁晨辰;陈伟中;田清勇;范斌 | 申请(专利权)人: | 昆山协鑫光电材料有限公司 |
主分类号: | H10K71/12 | 分类号: | H10K71/12;H10K71/15;H10K30/10 |
代理公司: | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人: | 赵世发;王锋 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 钙钛矿 器件 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种钙钛矿薄膜的制备方法,它基于溶剂络合分段退火抽气工艺实施的,其特征在于,所述的制备方法包括:
1)将配置形成的钙钛矿溶液涂覆在基底上形成液膜;
2)将所述液膜置于抽气装置中,在室温下采用抽气方式对所述液膜进行干燥处理,以除去其中的部分溶剂,干燥除去的部分溶剂为溶剂总量的60-80wt%,从而获得钙钛矿与溶剂络合形成的中间相薄膜;
3)先将所述中间相薄膜于60-80℃条件下退火处理1-5min,之后于100-130℃条件下退火处理5-15min,进而形成钙钛矿薄膜。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述干燥处理的时间为5-30s。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述钙钛矿溶液中采用的溶剂包括二甲基亚砜、N,N-二甲基甲酰胺中的任意一种或两种的混合。
4.由权利要求1-3中任一项所述的方法制备的钙钛矿薄膜。
5.根据权利要求4所述的钙钛矿薄膜,其特征在于:所述钙钛矿薄膜的平均粗糙度在13.2nm以下。
6.一种钙钛矿器件,包括钙钛矿层,其特征在于:所述钙钛矿层包括权利要求4-5中任一项所述的钙钛矿薄膜。
7.根据权利要求6所述的钙钛矿器件,其特征在于:所述钙钛矿器件为正向结构或反置结构。
8.根据权利要求7所述的钙钛矿器件,其特征在于:所述正向结构的钙钛矿器件包括依次设置的导电基底、电子传输层、钙钛矿层、空穴传输层和金属电极;所述反置结构的钙钛矿器件包括依次设置的导电基底、空穴传输层、钙钛矿层、电子传输层和金属电极。
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