[发明专利]一种混合价态锡基氧化物半导体材料的制备方法及应用有效

专利信息
申请号: 201910306815.5 申请日: 2019-04-17
公开(公告)号: CN110171842B 公开(公告)日: 2021-08-31
发明(设计)人: 韩宏伟;梅安意;李圣 申请(专利权)人: 华中科技大学
主分类号: C01G19/02 分类号: C01G19/02;H01L31/0216;H01L33/12;H01L33/14;B82Y30/00
代理公司: 华中科技大学专利中心 42201 代理人: 尹丽媛;李智
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 混合 价态锡基 氧化物 半导体材料 制备 方法 应用
【权利要求书】:

1.一种光电器件中的电子传输层,其特征在于,所述电子传输层的材料为混合价态锡基氧化物半导体材料,化学式表示为Sn4+xSn2+yO2-z,Sn的价态有+4价和+2价,分子式中x0,y0,z0,且满足2x+y=z;且所述电子传输层的制备方法包括如下步骤:

步骤1:将四价锡盐和二价锡盐按照预设摩尔比例溶于水中,加入沉淀剂进行沉淀,其中根据已确定的x和y值来调控所述预设摩尔比例;

步骤2:将步骤1的产物进行离心分离和去离子水清洗;

步骤3:将步骤2的产物置于水热反应装置中,加入矿化剂,并加水分散经水热反应得到所述已确定的x和y值所对应的混合价态锡基氧化物半导体材料纳米颗粒分散液;

步骤4:对步骤3得到的混合价态锡基氧化物半导体材料纳米颗粒分散液直接进行旋涂,制得所需的电子传输层。

2.根据权利要求1所述的一种光电器件中的电子传输层,其特征在于,所述制备方法还包括将所述步骤1的产物进行烘烤,得到干燥后的锡基氧化物半导体材料纳米晶。

3.根据权利要求1所述的一种光电器件中的电子传输层,其特征在于,所述四价锡盐为四氟化锡、四氯化锡、硫酸锡、硝酸锡、醋酸锡或任意一种所述四价锡盐的水合物。

4.根据权利要求1所述的一种光电器件中的电子传输层,其特征在于,所述二价锡盐为氟化亚锡、氯化亚锡、硫酸亚锡、硝酸亚锡、醋酸亚锡或任意一种所述二价锡盐的水合物。

5.根据权利要求1所述的一种光电器件中的电子传输层,其特征在于,所述四价锡盐和所述二价锡盐的摩尔比例为x:y,通过改变所述摩尔比例可以合成不同的锡基氧化物,其中,x0,y0。

6.根据权利要求1所述的一种光电器件中的电子传输层,其特征在于,所述沉淀剂为碱性水溶性化合物,包括氨水、氢氧化钾、氢氧化钠、氢氧化锂、碳酸钠、碳酸氢钠、氢氧化钙、氢氧化钡。

7.根据权利要求1所述的一种光电器件中的电子传输层,其特征在于,所述矿化剂为碱性水溶性化合物,包括氨水、氢氧化钾、氢氧化钠、氢氧化锂、碳酸钠、碳酸氢钠、氢氧化钙、氢氧化钡。

8.根据权利要求1至7任一项所述的一种光电器件中的电子传输层,其特征在于,所述光电器件为太阳能电池、发光二极管或光电探测器。

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