[发明专利]一种三维NAND存储器字线充电方法以及控制电路

权利要求书

1.一种三维NAND存储器字线充电方法，其特征在于，基于控制电路，所述控制电路包括：电压生成电路、电平检测电路、充电电路以及放电电路，所述充电方法包括：

在第一时段，所述电压生成电路输出第一电压至字线的输入端，所述第一电压大于所述字线目标输出电压，且所述第一电压与所述字线目标输出电压的电压差大于第一阈值，所述电平检测电路获取所述三维存储器中的字线电压，当所述三维存储器中的字线电压大于或等于所述字线目标输出电压时，所述电压生成电路输出所述字线目标输出电压至所述字线的输入端；

在第二时段，所述电平检测电路检测所述三维存储器中的字线电压是否偏离所述字线目标输出电压，当所述三维存储器中的字线电压高于所述字线目标输出电压时，所述三维存储器字线通过所述放电电路进行放电，以使所述字线电压等于所述字线目标输出电压，当所述三维存储器中的字线电压等于所述字线目标输出电压时，所述充电电路停止充电，当所述三维存储器中的字线电压低于所述字线目标输出电压时，所述三维存储器字线通过所述充电电路进行充电，使所述三维存储器中的字线电压保持在所述字线目标电压。

2.根据权利要求1所述的三维NAND存储器字线充电方法，其特征在于，还包括：

获取所述三维NAND存储器的属性参数，所述属性参数至少包括三维NAND存储器的阵列尺寸、介质的介电常数、阻抗；

基于所述属性参数，确定出所述第一时段的时长。

3.根据权利要求1所述的三维NAND存储器字线充电方法，其特征在于，还包括：

获取所述三维NAND存储器字线的耦合电容以及寄生电阻；

基于所述耦合电容以及所述寄生电阻，确定出所述第一阈值。

4.根据权利要求2所述的三维NAND存储器字线充电方法，其特征在于，还包括：

基于所述第一时段，确定出所述三维NAND存储器字线充电时间。

5.一种三维NAND存储器字线充电的控制电路，其特征在于，包括：电压生成电路、电平检测电路、充电电路以及放电电路，所述充电方法包括：

在第一时段，所述电压生成电路输出第一电压至字线的输入端，所述第一电压大于所述字线目标输出电压，且所述第一电压与所述字线目标输出电压的电压差大于第一阈值，所述电平检测电路获取所述三维存储器中的字线电压，当所述三维存储器中的字线电压大于或等于所述字线目标输出电压时，所述电压生成电路输出所述字线目标输出电压至所述字线的输入端；

在第二时段，所述电平检测电路检测所述三维存储器中的字线电压是否偏离字线目标输出电压，当所述三维存储器中的字线电压高于所述字线目标输出电压时，所述三维存储器字线通过所述放电电路进行放电，以使所述字线电压等于所述字线目标输出电压，当所述三维存储器中的字线电压等于所述字线目标输出电压时，所述充电电路停止充电，当所述三维存储器中的字线电压低于所述字线目标输出电压时，所述三维存储器字线通过所述充电电路进行充电，使所述三维存储器中的字线电压保持在所述字线目标电压。

6.根据权利要求5所述的三维NAND存储器字线充电的控制电路，其特征在于，还包括处理电路：

所述处理电路用于基于所述三维NAND存储器的属性参数，所述属性参数至少包括三维NAND存储器的阵列尺寸、介质的介电常数、阻抗，确定出所述第一时段的时长。

7.根据权利要求5所述的三维NAND存储器字线充电的控制电路，其特征在于，所述处理电路还用于基于所述三维NAND存储器字线的耦合电容以及寄生电阻，确定出所述第一阈值。

8.根据权利要求7所述的三维NAND存储器字线充电的控制电路，其特征在于，所述处理电路还用于基于所述第一时段，确定出所述三维NAND存储器字线充电时间。