[发明专利]集成电路结构、布局图方法和系统

权利要求书

1.一种集成电路(IC)结构，包括：

第一多个金属区段，位于第一金属层中，所述第一多个金属区段的每个金属区段在第一方向上延伸；

第二多个金属区段，位于所述第一金属层上方的第二金属层中，所述第二多个金属区段中的每个金属区段均在与所述第一方向垂直的第二方向上延伸；以及

第三多个金属区段，位于所述第二金属层上方的第三金属层中，所述第三多个金属区段中的每个金属区段均在所述第一方向上延伸，

其中，所述第三多个金属区段的节距小于所述第二多个金属区段的节距，所述第三多个金属区段的节距小于所述第一多个金属区段的节距。

2.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述第二多个金属区段的节距中的每个均大于所述第一多个金属区段的节距。

3.根据权利要求1所述的集成电路结构，还包括：第四多个金属区段，位于所述第三金属层上方的第四金属层中，所述第四多个金属区段中的每个金属区段均在所述第二方向上延伸，其中，所述第四多个金属区段的节距大于所述第二多个金属区段的节距。

4.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述第一多个金属区段的金属区段位于金属1层的金属区段上方。

5.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中：

所述第一金属层是金属2层，

所述第二金属层是金属3层，以及

所述第三金属层是金属4层。

6.根据权利要求1所述的集成电路结构，其中，所述第二多个金属区段的节距与所述第三多个金属区段的节距的比率大于或等于1.25。

7.根据权利要求1所述的集成电路结构，还包括：槽通孔，位于所述第二多个金属区段的金属区段和所述第三多个金属区段的金属区段之间。

8.一种生成集成电路(IC)布局图的方法，所述方法包括：

在金属2层中布置多个金属2区段，其中，

所述多个金属2区段中的金属2区段与所述集成电路布局图中的单元重叠，和

所述多个金属2区段在第一方向上具有第一节距；

在金属3层中布置多个金属3区段，所述多个金属3区段在与所述第一方向垂直的第二方向上具有第二节距；以及

在金属4层中布置多个金属4区段，所述多个金属4区段在所述第一方向上具有第三节距，

其中，

所述第三节距小于所述第二节距，所述第三节距小于所述第一节距，以及

通过计算机的处理器执行布置所述多个金属2区段、布置所述多个金属3区段和布置所述多个金属4区段中的至少一个。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述多个金属2区段中的金属2区段与所述单元中的金属1区段重叠。

10.根据权利要求8所述的方法，其中，所述单元在所述第一方向上的高度与所述第一节距的比率等于或小于5。

11.根据权利要求8所述的方法，其中，

所述单元是多个单元中的一个单元，以及

在所述金属2层中布置所述多个金属2区段包括所述多个金属2区段中的至少一个金属2区段与所述多个单元中的每个单元重叠。

12.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第二节距与所述第三节距的比率大于或等于1.25。

13.根据权利要求8所述的方法，还包括：基于所述布局图生成集成电路布局文件。

14.根据权利要求8所述的方法，还包括：基于所述布局图生成掩模集。