[发明专利]一种极化设备和极化方法

权利要求书

1.一种极化设备，用于极化待极化件，其特征在于：所述待极化件包括基底和形成在所述基底上的高分子薄膜，所述极化设备包括准备台、极化室、转移台和承载台，其中，

所述准备台用于放置准备进入所述极化室的所述承载台；

所述承载台用于放置待极化件；

极化室用于对承载台上待极化件的所述高分子薄膜进行极化；

转移台用于放置完成极化的极化件。

2.根据权利要求1所述的极化设备，其特征在于：

所述承载台被移动到所述准备台时，所述待极化件被放置在所述承载台上；

所述承载台和所述待极化件被移动到所述极化室内时，所述极化室对所述高分子薄膜进行极化；

极化完成后，所述承载台和所述待极化件被移动到所述转移台后，所述承载台上的所述极化件被转移走。

3.根据权利要求1所述的极化设备，其特征在于：所述基底包括基板、接地电极和接地引脚，所述接地引脚位于基板边缘，所述接地引脚和接地电极设置于所述基板的表面，所述高分子薄膜覆盖所述接地电极并暴露所述接地引脚，所述接地电极和所述接地引脚电性连接。

4.根据权利要求3所述的极化设备，其特征在于：所述承载台呈平板状，所述承载台上开设有承载槽，所述承载槽的底部还开设至少两个贯穿所述承载台厚度方向的顶升孔，所述承载台上和承载槽相对的表面上还开设接地孔，所述承载台上还设置有承载电极，至少部分所述承载电极设置在所述接地孔的底部以及承载槽的侧面。

5.根据权利要求4述的极化设备，其特征在于：所述准备台包括第一传送装置和第一顶升装置，所述第一顶升装置位于所述第一传送装置的下方，所述承载台在第一传送装置作用下移动到预设的第一位置后，所述第一顶升装置升高穿过所述第一传送装置和所述顶升孔，外部的第一输送装置把所述待极化件放置在所述第一顶升装置上，所述第一顶升装置降低使得所述待极化件被放置在所述承载槽内。

6.根据权利要求4所述的极化设备，其特征在于：所述极化室包括极化组件、第二传送装置、第二顶升装置和顶盖，所述顶盖包括导电片，所述第二顶升装置包括接地导线，所述第二顶升装置位于所述第二传送装置的下方，所述极化组件位于第二传送装置的上方，所述顶盖位于所述第二传送装置和所述极化组件之间，所述承载台在第二传送装置作用下传输到预设的第二位置后，所述第二顶升装置升高穿过第二传送装置并插入顶升孔，使所述承载台升高并和所述顶盖接触，所述顶盖把所述承载台上待极化件的接地引脚覆盖并露出所述待极化件的所述高分子薄膜露出，所述顶盖的导电片同时和接地引脚、承载槽的侧面的承载电极电性接触，所述第二顶升装置的接地导线和接地孔的底部的所述承载电极接触，所述极化组件用于对所述高分子薄膜进行极化。

7.根据权利要求4所述的极化设备，其特征在于：所述转移台包括第三传送装置和第三顶升装置，所述第三顶升装置位于所述第三传送装置的下方，所述承载台在第三传送装置作用下传输到预设的第三位置后，所述第三顶升装置机构升高穿过第三传送装置和顶升孔，使所述承载台升高，外部的第二输送装置把所述待极化件转移走。

8.根据权利要求6所述的极化设备，其特征在于：所述极化组件包括多个阵列排布的极化模块，所述极化模块包括高压电场端和低压电场端，所述低压电场端位于所述顶盖和所述高压电场端之间。

9.一种极化方法，其采用如权利要求1～8任一项所述的极化设备以极化待极化件，其特征在于：所述待极化件包括基底和形成在所述基底上的高分子薄膜，所述极化设备包括准备台、极化室、转移台和承载台，该极化方法包括：

所述准备台上放置准备进入所述极化室的所述承载台；

所述承载台上放置待极化件；

所述承载台进入极化室后，所述极化室对所述承载台上的所述待极化件的所述高分子薄膜进行极化；

极化完成后，所述转移台上放置完成极化的极化件。

10.根据权利要求9所述的极化方法，其特征在于：所述极化室包括极化组件、第二传送装置、第二顶升装置和顶盖，所述顶盖包括导电片，所述第二顶升装置包括接地导线，所述第二顶升装置位于所述第二传送装置的下方，所述极化组件位于第二传送装置的上方，所述顶盖位于所述第二传送装置和所述极化组件之间，承载台呈平板状，所述承载台上开设有承载槽，所述承载台上和承载槽相对的表面上开设接地孔，所述承载台上还设置有承载电极，至少部分所述承载电极设置在所述接地孔的底部以及承载槽的侧面，所述承载台进入极化室后，所述极化室对所述承载台上的所述待极化件的所述高分子薄膜进行极化包括：

承载台和极化待极化件进入极化室中预设的第二位置；

第二顶升装置把承载台和其上的待极化件升高，使待极化件和顶盖的导电片接触电性接触，顶盖的导电片和承载台的承载电极电性接触，承载电极和第二顶升装置的接地导线电性接触；

极化组件给待极化件的高分子薄膜极化。