[发明专利]基板处理装置及程序介质

说明书

本发明提供一种基板处理装置及程序介质，为了不依赖于操作员的经验而能够高速且高精度地使腔室内的二维浓度分布或二维温度分布均匀，所述基板处理装置具备：收纳基板且被供给材料气体的腔室；从腔室的周围的多个地方朝向形成于腔室的周壁的入射窗射出激光的激光射出机构；对从多个地方射出而通过腔室内且从形成于腔室的周壁的射出窗射出的各激光进行检测的激光检测机构；以及控制装置，获取由激光检测机构检测到的各激光的光强度信号，并且基于该光强度信号，计算出腔室内的材料气体的二维浓度分布或腔室内的二维温度分布，基于该二维浓度分布或该二维温度分布控制流体控制设备。

技术领域

本发明涉及用于半导体制造工序的基板处理装置及程序介质。

背景技术

作为这种基板处理装置，如专利文献1所示，有如下技术：向收纳基板的腔室供给材料气体，并且利用加热器加热基板，通过在腔室内产生等离子体，从而进行蚀刻和/或成膜等基板处理。

在这样的基板处理装置中，如果沿腔室内的基板的平面内的材料气体的浓度分布(以下，称为二维浓度分布)或者该平面内的温度分布(以下，称为二维温度分布)不均匀，则导致上述基板处理也不均匀，不能保证例如基板的表面品质等。

但是，在现有的装置中，不能掌握腔室内的二维浓度分布或二维温度分布，为了实现基板处理的均匀化，需要从多个地方供给材料气体而操作员根据经验调整来自各个地方的供给量，或者在多个地方设置加热器而操作员根据经验调整各加热器的加热温度，耗费大量的劳力和时间。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2012-204692号公报

发明内容

技术问题

因此，本发明是为了解决上述问题而做出的，其主要课题是不依赖操作员的经验而能够以高速且高精度使腔室内的二维浓度分布或二维温度分布均匀。

技术方案

即，本发明的基板处理装置的特征在于，具备：腔室，其收纳基板，并且被供给材料气体；材料气体供给路径，其分别与在所述腔室形成的多个供给口连接；流体控制设备，其设置于所述各材料气体供给路径；激光射出机构，其从所述腔室周围的多个地方朝向形成于所述腔室的周壁的入射窗射出激光；激光检测机构，其对从所述多个地方射出而通过所述腔室内且从形成于所述腔室的周壁的射出窗射出的各激光进行检测；以及控制装置，其获取由所述激光检测机构检测到的所述各激光的光强度信号，并且基于该光强度信号，计算出所述腔室内的所述材料气体的二维浓度分布，基于该二维浓度分布控制所述流体控制设备。

根据这样的基板处理装置，控制装置基于从腔室周围的多个地方射出而通过腔室内的各激光的光强度信号，计算出腔室内的材料气体的二维浓度分布，并且基于该二维浓度分布控制流体控制设备，因此不依赖于操作员的经验而实现二维浓度分布的均匀化。

在所述腔室内设定有与所述多个供给口对应的多个供给区域，利用连接于与所述各供给区域对应的所述供给口的所述材料气体供给路径上的所述流体控制设备，对供给到所述各供给区域的所述材料气体进行控制，在该结构中，优选的是，所述控制装置基于所述二维浓度分布，计算出代表所述各供给区域的浓度的区域代表浓度，并且利用这些区域代表浓度，对与所述各供给区域对应的所述流体控制设备的目标流量进行反馈控制。

根据这样的结构，能够对每个供给区域控制腔室内的二维浓度分布，不会使控制复杂化，而实现二维浓度分布的均匀化。

优选的是，所述腔室具有：具有被供给所述材料气体的内部空间的腔室主体；覆盖所述内部空间并且形成有所述多个供给口的盖体；以及设置于所述盖体的所述内部空间侧且分隔所述多个供给口的分隔部件。