[发明专利]BaZrS3

权利要求书

1.一种BaZrS₃薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1、以BaZrO₃作为反应材料，对其进行硫化处理制成靶材；

步骤S2、利用步骤S1获得的靶材进行镀膜处理；

步骤S3、对步骤S2获得的产物进行二次硫化处理；

所述步骤S1中，所述硫化处理采用硫化处理装置，所述硫化处理装置包括氩气管道、冷肼和化学气相沉积炉，所述氩气管道通过第一管道与所述冷肼和所述化学气相沉积炉串接连通，所述氩气管道通过第二管道与所述化学气相沉积炉串接连通，所述第一管道中设有第一气阀，所述第二管道中设有第二气阀。

2.根据权利要求1所述的BaZrS₃薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中，所述硫化处理的具体步骤如下：

步骤S11、将BaZrO₃粉末放置到所述化学气相沉积炉中，打开所述第二气阀，通入氩气直至排空炉中氧气，开始对所述化学气相沉积炉升温加热至800-1100℃；

步骤S12、关闭第二气阀并打开第一气阀，将氩气通入到装有硫源的冷阱中，保温；

步骤S13、待炉内温度降至800℃，关闭第一气阀并打开第二气阀，使氩气通入化学气相沉积炉直至炉内温度降至室温。

3.根据权利要求2所述的BaZrS₃薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，镀膜处理的具体步骤如下：

步骤S21、取出经过步骤S13处理后的产物，清洗，球磨，干燥，造粒，压片；

步骤S22、将步骤S21获得的产物作为靶材放入脉冲激光沉积设备的溅射室，将所述溅射室抽真空至10^-5pa，选择蓝宝石基底，使靶材和基底间距5-6厘米，基底温度为700-800℃，打开激光光束，对准靶材沉积使其在基底上形成镀膜。

4.根据权利要求1所述的BaZrS₃薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中的所述二次硫化处理的步骤与所述步骤S1中的所述硫化处理的步骤完全相同。

5.根据权利要求2所述的BaZrS₃薄膜的制备方法，其特征在于，所述硫源为CS₂溶液或H₂S气体。

6.根据权利要求3所述的BaZrS₃薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S21的具体步骤为：采用丙酮和酒精清洗，球磨转速为450r/min，球磨时间为3h，干燥时间为2h，造粒时加入PVA，压片的压力为30MPa，压片模具的直径为20mm。

7.根据权利要求3所述的BaZrS₃薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S22中，激光光束的频率为5Hz，发射能量为300mJ，沉积时间为1-2h。

8.如权利要求1-7中任一项所述的BaZrS₃薄膜的制备方法所制备的BaZrS₃薄膜。

9.如权利要求8所述的BaZrS₃薄膜在太阳能电池器件吸收层材料领域的应用。