[发明专利]一种半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 201910310506.5 | 申请日： | 2019-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN110098113A | 公开（公告）日： | 2019-08-06 |
| 发明（设计）人： | 王辉;龙俊舟;侯多源 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L21/3105;H01L27/11521;H01L27/11568;C23C16/40 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜 半导体器件 栅极结构 半导体制造技术 等离子体损伤 化学沉积工艺 层间介质层 表面覆盖 侧墙结构 电荷分布 晶圆表面 电荷 侧墙 衬底 沉积 半导体 制造 优化 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供具有栅极结构的半导体衬底，于所述栅极结构两侧形成侧墙结构；
于所述侧墙外表面沉积一第一薄膜；
对所述第一薄膜的表面执行去电荷工艺；
于所述第一薄膜的表面覆盖一层间介质层。
2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，形成所述侧墙结构的步骤具体包括：
于所述栅极两侧形成一第一氧化物层；
对所述第一氧化物层进行刻蚀以形成所述侧墙结构。
3.根据权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，通过化学气相沉积工艺形成所述第一氧化物层。
4.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，形成所述第一薄膜的步骤具体包括：
于所述侧墙结构的表面沉积一第二氧化物层；
对所述第二氧化物层进行掺氮工艺以形成所述第一薄膜。
5.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述去电荷工艺的步骤具体包括：
对所述第一薄膜的表面进行氦气处理以带走所述第一薄膜表面的电荷。
6.根据权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述层间介质层为高密度等离子体氧化层。
7.根据权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第二氧化物层为二氧化硅。
8.根据权利要求1或3或4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一薄膜的材质为氮氧化硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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