[发明专利]纳米丝束的制备方法及纳米丝束脑电极

权利要求书

1.一种纳米丝束的制备方法，包括：

S1、将至少两种金属按比例混合，通过高温熔炼制成合金块；

S2、将合金块加工为合金棒；

S3、对合金棒进行定向凝固处理，包括：

S31、对合金棒进行加热处理；

S32、保持高温状态，对合金棒进行定向凝固处理，拉伸合金棒的速度为5-15μm/s；

S33、对合金棒进行降温处理；

S4、对合金棒进行切割处理，得到合金薄片；

S5、对合金薄片的一面进行打磨处理，得到工作面；

S6、在合金薄片的另一面焊接导线；

S7、将合金薄片的工作面朝外地镶嵌于树脂中，得到待腐蚀电极；

S8、制备酒石酸电解液，将待腐蚀电极放入电解液中，对待腐蚀电极进行腐蚀处理，采用腐蚀电位为-0.5V到-0.2V，腐蚀时间为45-300min的腐蚀参数对待腐蚀电极进行腐蚀，得到附有纳米丝束的合金薄片。

2.如权利要求1所述的纳米丝束的制备方法，其特征在于：步骤S7之前，还包括将待腐蚀电极表面抛光至镜面的步骤。

3.如权利要求2所述的纳米丝束的制备方法，其特征在于：步骤S31中，对合金棒进行加热的时间为30-45min。

4.如权利要求3所述的纳米丝束的制备方法，其特征在于：在步骤S6之中，通过混合牙托粉和牙托水的方式，采用浇注镶嵌法对所述合金薄片进行封装处理。

5.一种纳米丝束脑电极，其特征在于：包括权利要求1-4任意一项所述的附有纳米丝束的合金薄片，所述附有纳米丝束的合金薄片的一面设有纳米丝束，所述附有纳米丝束的合金薄片的另一面焊接于电极片。

6.如权利要求5所述的纳米丝束脑电极，其特征在于：所述电极片的一面凹陷形成碗状，所述附有纳米丝束的合金薄片设置于所述电极片的凹陷中。