[发明专利]聚吡咯/金复合中空微球结构材料的制备方法及其应用

权利要求书

1.一种聚吡咯/金复合中空微球结构材料的制备方法，其特征在于方法的步骤中含有：

S1：用聚乙烯吡咯烷酮修饰单分散性二氧化硅微球；

S2：将聚吡咯包裹到修饰后的单分散性二氧化硅微球的表面，得到二氧化硅/聚吡咯复合微球；

S3：用聚乙烯吡咯烷酮修饰所述二氧化硅/聚吡咯复合微球中的聚吡咯，并在所述二氧化硅/聚吡咯复合微球的表面包覆金壳，再消融包覆金壳的二氧化硅/聚吡咯复合微球中的二氧化硅，得到聚吡咯/金复合中空微球结构材料；

其中，在步骤S1中，单分散性二氧化硅微球的制备步骤如下：

将1～3mL水、3～10mL氨水和50～100mL无水乙醇混合并搅拌20～60分钟，搅拌的方式为磁力搅拌，搅拌速率为100～400转/分钟，溶液温度为25～60℃；

加入1～5mL正硅酸乙酯并搅拌8～16小时；

离心分离并清洗、干燥后得到单分散性二氧化硅微球；

其中，在步骤S1中，用聚乙烯吡咯烷酮修饰单分散性二氧化硅微球的步骤如下：

取0.05～0.2g单分散性二氧化硅微球超声分散到20mL无水乙醇中；

加入0.1～2g聚乙烯吡咯烷酮，超声处理10～30分钟后搅拌12～24小时，溶液温度为30～50℃；

离心分离，然后用无水乙醇清洗并干燥，得到修饰过的单分散性二氧化硅微球；

其中，在步骤S2中，将聚吡咯包裹到单分散性二氧化硅微球表面的步骤如下：

将0.05～0.2g被聚乙烯吡咯烷酮修饰过的单分散性二氧化硅微球放入150mL无水乙醇中并超声处理10～30分钟；

加入0.02～0.2mL吡咯后超声处理5～10分钟；

加入2～10mL质量体积浓度为0.06g/mL的过硫酸铵溶液后搅拌8～24小时，溶液的温度为15～30℃；

离心分离，然后清洗、干燥，得到二氧化硅/聚吡咯复合微球；

其中，步骤S3的具体步骤如下：

将二氧化硅/聚吡咯复合微球超声分散于50mL去离子水中，以得到二氧化硅/聚吡咯复合微球的质量体积浓度为0.5～5mg/mL的溶液，然后加入20～80mg聚乙烯吡咯烷酮；

加入0.5～3mL摩尔浓度为0.02～0.05mol/L的氯金酸溶液并搅拌3～5小时；

加入5～9mL摩尔浓度为0.02～0.1mol/L的新鲜配置的硼氢化钠溶液并搅拌3～5小时，得到分散液；

取30mL上述分散液，加入10～30mL摩尔浓度为0.5～2mol/L的氢氧化钠溶液，振荡处理5～10分钟后静置4～10小时；

以8000转/分钟的速率离心分离5min后在40～60℃的温度下烘干，得到聚吡咯/金复合中空微球结构材料。