[发明专利]一种提高芯片电容器绝缘电阻值的方法

权利要求书

1.一种提高芯片电容器绝缘电阻值的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤(1)，在芯片电容器上加载恒定电压并加热至预设温度，保持预设时间；

步骤(2)，经步骤(1)后将所述芯片电容器置入液氮中冷却1～3min；

步骤(3)，然后将所述芯片电容器从液氮中取出，在空气中自然升至室温。

2.如权利要求1所述的一种提高芯片电容器绝缘电阻值的方法，其特征在于，所述步骤(1)中，所述恒定电压为50V直流电压。

3.如权利要求1所述的一种提高芯片电容器绝缘电阻值的方法，其特征在于，所述步骤(1)中，所述加热为以40～60℃/min的升温速率升温至180～220℃。

4.如权利要求1所述的一种提高芯片电容器绝缘电阻值的方法，其特征在于，所述芯片电容器由以下步骤制备：

a、以SrCO₃和TiO₂为主料，加入消泡剂和分散剂混合均匀，粉碎后得到流延浆料；再经干燥、叠片和热压后得到基片生坯；

b、基片半导化：将所述基片生坯在空气中550～650℃下进行排胶处理，排胶后的基片在N₂/H₂还原气氛中，烧结后得到半导化STO基片；

c、基片绝缘化：将氧化剂浆料均匀涂满所述半导化STO基片表面，再将涂好氧化剂浆料的基片保温2.5h后降至室温；

d、印刷电极：采用丝网印刷工艺将步骤(3)绝缘化基片两面均匀印上银浆，在550～650℃下保温进行烧银，得到样品；

e、切片：将烧制好银电极的样品切片处理，得到待处理和待测STO芯片电容器。

5.如权利要求4所述的一种提高芯片电容器绝缘电阻值的方法，其特征在于，所述步骤a中，主料与消泡剂的重量比为100：1；主料与分散剂的重量比为100：1。

6.如权利要求4所述的一种提高芯片电容器绝缘电阻值的方法，其特征在于，所述步骤a中，粉碎使用行星式球磨机球磨16h后得到流延浆料。

7.如权利要求4所述的一种提高芯片电容器绝缘电阻值的方法，其特征在于，步骤a中所述流延、干燥、叠片和热压处理过程中的压强为100MPa。

8.如权利要求4所述的一种提高芯片电容器绝缘电阻值的方法，其特征在于，步骤b中，所述烧结的操作为：将所述排胶后的基片在N₂/H₂还原气氛中，温度为1300℃烧结2h后得到半导化STO基片。

9.如权利要求4所述的一种提高芯片电容器绝缘电阻值的方法，其特征在于，所述步骤c中，所述氧化剂浆料由Pb₃O₄，Bi₂O₃，CuO，B₂O₃，以30％：35％：25％：10％的重量比混合后得到。

10.如权利要求4所述的一种提高芯片电容器绝缘电阻值的方法，其特征在于，步骤c中所述保温的操作为：将涂好氧化剂的基片在1000～1100℃保温2.5h后降温，经过0.5h降至900℃，再自然降至室温。