[发明专利]一种二氧化钒-Sb薄膜材料及其制备方法

权利要求书

1.一种兼具高速和高数据保持力的二氧化钒-Sb薄膜材料，其特征在于：其化学结构式为(VO₂)_xSb_100-x，其中VO₂的原子数百分含量为5≤x≤25。

2.根据权利要求1所述的一种兼具高速和高数据保持力的二氧化钒-Sb薄膜材料，其特征在于：所述的薄膜材料的化学结构式为(VO₂)₂₅Sb₇₅。

3.一种根据权利要求1所述的兼具高速和高数据保持力的二氧化钒-Sb薄膜材料的制备方法，其特征在于：采用高纯度Sb单质与VO₂作为靶材，采用磁控溅射装置，采用双靶共溅射方法，以高纯氩气作为工作气体，采用石英片或硅片为衬底材料进行表面沉积，具体步骤如下：

(1)将VO₂靶材安装在磁控直流溅射靶中，将Sb单质靶材安装在磁控射频溅射靶中；

(2)将石英片或硅片衬底材料依次放入去离子水和无水乙醇中超声清洗，取出后用高纯氮气吹干，放入溅射腔室；

(3)将磁控溅射室进行抽真空，直至溅射室内真空度达到5×10^-4Pa时，向室内通入高纯氩气，氩气流量为50ml/min，直至溅射腔室内气压达到溅射所需的起辉气压0.3Pa；

(4)开启射频电源，待辉光稳定后，将Sb单质靶的直流溅射功率调整为14-18W，Sb单质靶的射频溅射功率调整为30-35W，于室温下进行溅射镀膜，得到兼具高速和高数据保持力的Sb-VO₂薄膜材料。

4.根据权利要求3所述的一种兼具高速和高数据保持力的二氧化钒-Sb薄膜材料的制备方法，其特征在于：所述的Sb单质和所述的VO₂靶材的纯度均为99.99％。

5.根据权利要求3所述的一种兼具高速和高数据保持力的二氧化钒-Sb薄膜材料的制备方法，其特征在于：将步骤(4)得到的沉积态的Sb-VO₂薄膜材料放入快速退火炉中，在高纯氩气氛围保护下，迅速升温至150～300℃下进行退火，即得到热处理后的Sb-VO₂相变存储薄膜材料。