[发明专利]一种二氧化钒-富Sb相变薄膜材料及其制备方法

权利要求书

1.一种易失性至非易失性存储调控的二氧化钒-富Sb薄膜材料，其特征在于其化学结构式为(VO₂)_x(Sb₄Te)_100-x，其中VO₂的原子数百分含量为7≤x≤33。

2.根据权利要求1所述的一种易失性至非易失性存储调控的二氧化钒-富Sb薄膜材料，其特征在于其化学结构式为 (VO₂)₃₃(Sb₄Te)₆₇。

3.一种根据权利要求1-2中任一项所述的易失性至非易失性存储调控的二氧化钒-富Sb薄膜材料的制备方法，其特征在于：采用高纯度圆块状VO₂和Sb₄Te作为靶材，使用磁控溅射仪器，通过双靶共同溅射，以高纯度氩气作为工作气体，硅片或石英片作为衬底材料进行表面沉积，具体步骤如下：

（1）分别将Sb₄Te圆块金属靶材和VO₂圆块金属氧化物靶材背面与一块直径相同、厚度为1mm的铜片完全贴合，制作为磁控溅射镀膜靶材，将VO₂靶材安装在磁控直流溅射靶中，将Sb₄Te安装在磁控射频溅射靶中；

（2）将石英片或者硅片衬底材料依次放入去离子水中和无水乙醇中超声清洗后取出，用高纯度氮气吹干，放入溅射腔室；

（3）将溅射室封闭，进行抽真空，当溅射室真空度达到2×10^-4Pa时，通入高纯度氩气，进气速率为50ml/min，使溅射室内的气压达到溅射所需的起辉气压2.3Pa；

（4）开启直流电源，调整VO₂直流溅射功率为20W，打开射频电源，调整Sb₄Te靶的射频功率为15~50W，待光辉稳定后开始在室温下镀膜，共溅射时间25-35min，得到厚度为120-140nm的用于相变存储器的VO₂-Sb₄Te薄膜材料。

4.根据权利要求3所述的一种易失性至非易失性存储调控的二氧化钒-富Sb薄膜材料的制备方法，其特征在于：所述的VO₂靶材和Sb₄Te靶材的纯度均为99.99%。

5.根据权利要求3所述的一种易失性至非易失性存储调控的二氧化钒-富Sb薄膜材料的制备方法，其特征在于：将步骤（4）得到的沉积态VO₂-Sb₄Te薄膜材料放入快速退火炉中，在通入高纯度氮气的氛围下，迅速升温至180~300℃下退火，即可得到热处理后的用于相变存储器的VO₂-Sb₄Te薄膜材料。