[发明专利]磷化铟纳米晶的制备方法

说明书

本申请公开了一种磷化铟纳米晶的制备方法，其特征在于，包括步骤：采用M‑(O‑C≡P)_n作为反应前驱体之一，其中，M为金属元素，n为1、2或者3。本申请采用M‑(O‑C≡P)_n作为反应前驱体之一，由于金属元素M与P元素来自同一反应前驱体，能制备含有In、P和金属元素M的纳米晶核的纳米晶；此外，M元素与P元素的比例固定，更易控制所制备的纳米晶中元素的构成，所制备得到的磷化铟纳米晶的发光性能优良。

技术领域

本申请属于纳米材料领域，尤其涉及一种磷化铟纳米晶的制备方法。

背景技术

纳米晶具有半峰宽窄、量子产率高等优点，在显示、照明等领域有着巨大的应用前景。与II-VI族元素量子点相比，以磷化铟量子点为代表的III-V族元素量子点不含有重金属元素、应用范围更广，正逐渐受到科研界和产业界的关注。

然而，现有常见方法制备的磷化铟量子点的光学性能还有待于提高，优化磷化铟量子点的制备方法具有重要的意义。

发明内容

针对上述技术问题，本申请提供一种磷化铟纳米晶的制备方法。

根据本申请的一个方面，提供一种磷化铟纳米晶的制备方法，包括步骤，采用M-(O-C≡P)_n作为反应前驱体之一，其中，M为金属元素，n为1、2或者3。

进一步地，所述M-(O-C≡P)_n为Li-O-C≡P、Na-O-C≡P、K-O-C≡P、Zn-(O-C≡P)₂或者Ga-(O-C≡P)₃。

进一步地，所述磷化铟纳米晶含有M、In和P元素。

进一步地，所述反应前驱体还包括铟前驱体。

进一步地，所述反应前驱体还包括锌前驱体。

进一步地，包括步骤：对包含有铟前驱体、M-(O-C≡P)_n和溶剂的溶液进行高温处理，得到磷化铟纳米晶核。

进一步地，包括步骤：在所述纳米晶核上包覆壳层。

进一步地，所述溶剂为配位化合物。

进一步地，所述配位化合物为胺或者羧酸。

进一步地，所述高温反应的温度为150℃至300℃之间。

有益效果：本申请采用M-(O-C≡P)_n作为反应前驱体之一，由于金属元素M与P元素来自同一反应前驱体，能制备含有In、P和金属元素M的纳米晶核的纳米晶；此外，M元素与P元素的比例固定，更易控制所制备的纳米晶中元素的构成，所制备得到的磷化铟纳米晶的发光性能优良。

附图说明

图1为本申请一个示意性的实施例中纳米晶的结构示意图；

图2为实施例1中纳米晶的透射电子显微镜图；

图3为实施例1中纳米晶的荧光发射光谱图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施方式，对本申请实施例中的技术方案进行详细的描述。应注意的是，所描述的实施方式仅仅是本申请一部分实施方式，而不是全部实施方式。

图1是本申请一个示意性的实施例中所制备得到的磷化铟纳米晶的结构示意图，纳米晶100包括纳米晶核101，纳米晶核101包括In、P、金属元素M；以及设置在纳米晶核101上的壳102。

本申请示意性的实施方式，磷化铟纳米晶的制备方法中，包括步骤：采用M-(O-C≡P)_n作为反应前驱体之一，其中，M为金属元素，n为1、2或者3。